Математична модель силового МОН-транзистора

dc.contributor.authorПеленський, P. A.
dc.contributor.authorГамола, О. Є.
dc.date.accessioned2017-04-05T14:54:14Z
dc.date.available2017-04-05T14:54:14Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractДосліджено можливості використання МОН-транзисторів як елементної бази енергетичної електроніки. Запропоновано математичну модель силового вертикального МОН-транзистора та засоби числової реалізації. A possibility of using MOS-transistors as the element base of power electronics has been studied/ A mathematical model of the power vertical MOS-transistor and means of its numeric realization have been suggested.uk_UA
dc.identifier.citationПеленський P. A. Математична модель силового МОН-транзистора / P. A. Пеленський, О. Є. Гамола // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 487 : Електроенергетичні та електромеханічні системи. – С. 152–157. – Бібліографія: 5 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/37190
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету «Львівська політехніка»uk_UA
dc.titleМатематична модель силового МОН-транзистораuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
28_152-157.pdf
Size:
139.44 KB
Format:
Adobe Portable Document Format