Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb

Simple item page
dc.citation.journalTitleЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”uk_UA
dc.contributor.authorБольшакова, І. А.
dc.contributor.authorМельник, І. І.
dc.contributor.authorМосковець, Т. А.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-09-19T10:05:02Z
dc.date.available2018-09-19T10:05:02Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractДля підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації.uk_UA
dc.format.pages47–54
dc.identifier.citationБольшакова І. А. Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb / І. А. Большакова , І. І. Мельник, Т. А. Московець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 47–54. – Бібліографія: 4 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42656
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Bolshakova I., Golyaka R. // Abstract of 16th International Conference on Magnet technology, Ponte Vedra Beach, FL, USA. 1999. P. 117. 2. Bolshakova I. // Sensors & Actuators: A. Physical. 1998. 68. P. 282 - 285. 3. Masterov F.N. // Semiconductors. 1990. 24. P. 383 - 396. 4. Jarmoluk N.I., Vigdorovich V.N., Kolin N.G., Osvenskyi V.B., Kharchenko V.A., Holodnyi L.P. // Semiconductors. 1980. 14. P. 773 - 775.uk_UA
dc.rights.holder© Большакова І. А., Мельник І. І., Московець Т. А., 2001uk_UA
dc.subject.udc546.682.86+621.382.61uk_UA
dc.titleДослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSbuk_UA
dc.title.alternativeControl of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex dopinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
10_47-54.pdf
Size:
246.75 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2001. – №430