Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb
| dc.citation.journalTitle | Електроніка | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | uk_UA |
| dc.contributor.author | Большакова, І. А. | |
| dc.contributor.author | Мельник, І. І. | |
| dc.contributor.author | Московець, Т. А. | |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.date.accessioned | 2018-09-19T10:05:02Z | |
| dc.date.available | 2018-09-19T10:05:02Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.description.abstract | Для підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації. | uk_UA |
| dc.format.pages | 47–54 | |
| dc.identifier.citation | Большакова І. А. Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb / І. А. Большакова , І. І. Мельник, Т. А. Московець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 47–54. – Бібліографія: 4 назви. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42656 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.relation.references | 1. Bolshakova I., Golyaka R. // Abstract of 16th International Conference on Magnet technology, Ponte Vedra Beach, FL, USA. 1999. P. 117. 2. Bolshakova I. // Sensors & Actuators: A. Physical. 1998. 68. P. 282 - 285. 3. Masterov F.N. // Semiconductors. 1990. 24. P. 383 - 396. 4. Jarmoluk N.I., Vigdorovich V.N., Kolin N.G., Osvenskyi V.B., Kharchenko V.A., Holodnyi L.P. // Semiconductors. 1980. 14. P. 773 - 775. | uk_UA |
| dc.rights.holder | © Большакова І. А., Мельник І. І., Московець Т. А., 2001 | uk_UA |
| dc.subject.udc | 546.682.86+621.382.61 | uk_UA |
| dc.title | Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb | uk_UA |
| dc.title.alternative | Control of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex doping | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1