Легкі дірки в CdxHg1-xTe

dc.contributor.authorІжнін, І. І.
dc.date.accessioned2012-02-09T09:35:25Z
dc.date.available2012-02-09T09:35:25Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractУ роботі експериментально визначено параметри важких та легких дірок (концентрацію та рухливість) в однорідних зразках р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) на основі дослідження польових залежностей коефіцієнта Холла та порівняно з результатами теоретичних розрахунків концентрацій на основі сучасних уявлень про параметри матеріалу. Отримані дані про параметри легких дірок дають можливість врахувати вплив цих носіїв на явища переносу в багатошарових структурах на основі CdxHg1-xTe. The parameters of heavy and light holes (concentration and mobility) for homogeneous samples of р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) were determined from investigation of the Hall coefficient field dependencies. These data have been compared with results of theoretical computations based on the modern knowledge of the material’s parameters.uk_UA
dc.identifier.citationІжнін І. І. Легкі дірки в CdxHg1-xTe / І. І. Іжнін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 121–126. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11426
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleЛегкі дірки в CdxHg1-xTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
22.pdf
Size:
1.58 MB
Format:
Adobe Portable Document Format