Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ

Simple item page
dc.contributor.authorВаків, М. М.
dc.contributor.authorКруковський, Р. С.
dc.date.accessioned2014-03-20T14:29:11Z
dc.date.available2014-03-20T14:29:11Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractДосліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.uk_UA
dc.identifier.citationВаків М. М. Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 98–101. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24024
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectарсенід індіюuk_UA
dc.subjectвісмутuk_UA
dc.subjectструктурні дефектиuk_UA
dc.subjectлегуюча домішкаuk_UA
dc.subjectindium arsenideuk_UA
dc.subjectbismuthuk_UA
dc.subjectstructural defectsuk_UA
dc.subjectdopantuk_UA
dc.titleOсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕuk_UA
dc.title.alternativePeculiarities of magnesium influence on electrophysical properties of indium arsenide layers obtained by LPE methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
17-98-101.pdf
Size:
248.9 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2013. – №764