Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками
No Thumbnail Available
Date
2006
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Отримані інтеркальовані зразки селеніду галію з хлоридом заліза. В них виявлено
гігантське зростання опору перпендикулярно до шарів під впливом магнітного поля. Результати імпедансних досліджень дозволили запропонувати можливу причину цього явища – магнітну локалізацію носіїв струму. The indium selenide with FeCl3 samples are obtained. The giant gowth of their resistance normal to layer caused by magnetic field is observed. Results of the impedance investigations allow propose the magnetic localization of the carrier as a possible reason of the effect.
Description
Keywords
Citation
Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками / Н. Т. Покладок, І. І. Григорчак, Р. Й. Ріпецький, Я. М. Бужук, Ю. О. Кулик// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 113–118. – Бібліографія: 8 назв.