Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками

dc.contributor.authorПокладок, Н. Т.
dc.contributor.authorГригорчак, І. І.
dc.contributor.authorРіпецький, Р. Й.
dc.contributor.authorБужук, Я. М.
dc.contributor.authorКулик, Ю. О.
dc.date.accessioned2017-03-15T13:58:34Z
dc.date.available2017-03-15T13:58:34Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractОтримані інтеркальовані зразки селеніду галію з хлоридом заліза. В них виявлено гігантське зростання опору перпендикулярно до шарів під впливом магнітного поля. Результати імпедансних досліджень дозволили запропонувати можливу причину цього явища – магнітну локалізацію носіїв струму. The indium selenide with FeCl3 samples are obtained. The giant gowth of their resistance normal to layer caused by magnetic field is observed. Results of the impedance investigations allow propose the magnetic localization of the carrier as a possible reason of the effect.uk_UA
dc.identifier.citationСпін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками / Н. Т. Покладок, І. І. Григорчак, Р. Й. Ріпецький, Я. М. Бужук, Ю. О. Кулик// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 113–118. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36661
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleСпін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошаркамиuk_UA
dc.title.alternativeThe spin-dependent kinetic and polarized processes in structures with alternate semiconductor and magnetoactive layersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
22_113-118.pdf
Size:
206.79 KB
Format:
Adobe Portable Document Format