Теоретична модель одноелектронного транзистора

Loading...
Thumbnail Image

Date

2007

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Розглянуто фізичну модель одноелектронного транзистора, в якій враховано “кулонівську блокаду”, що створює робочий канал розміром меншим за 10 нм. A physical model of single-electron transistor is discussed in present article. This model considers also Koulon-blocade created by a working channel of transistor which is < 10 nm.

Description

Keywords

модель одноелектронного транзистора, “кулонівська блокада”, фізична моделю

Citation

Павлишин В. Теоретична модель одноелектронного транзистора / В. Павлишин, Л. Закалик, Р. Корж // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 591 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 91–94. – Бібліографія: 12 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By