Теоретична модель одноелектронного транзистора
No Thumbnail Available
Files
Date
2007
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Розглянуто фізичну модель одноелектронного транзистора, в якій враховано “кулонівську блокаду”, що створює робочий канал розміром меншим за 10 нм.
A physical model of single-electron transistor is discussed in present article. This model considers also Koulon-blocade created by a working channel of transistor which is < 10 nm.
Description
Keywords
модель одноелектронного транзистора, “кулонівська блокада”, фізична моделю
Citation
Павлишин В. Теоретична модель одноелектронного транзистора / В. Павлишин, Л. Закалик, Р. Корж // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 591 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 91–94. – Бібліографія: 12 назв.