Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів

Simple item page
dc.contributor.authorНевзоров, В. В.
dc.contributor.authorСмеркло, Л. М.
dc.date.accessioned2017-08-02T11:17:20Z
dc.date.available2017-08-02T11:17:20Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractПоказано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.uk_UA
dc.identifier.citationНевзоров В. В. Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 35–40. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38599
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.titleЗменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторівuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
8_35-40.pdf
Size:
249.05 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427