Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Національного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща та Словаччини. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 151 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Зміст до Вісника «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки» № 427(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001)Item Багатофункціональний рідкокристалічний сенсор(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Микитюк, З. М.; Готра, 0. 3.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.; Іваницький, В. Г.; Даланбаяр, Б.Запропоновано використання як оболонки світловоду рідкокристалічного матеріалу, чутливого до дії зовнішніх факторів. Розглянуто нову конструкцію багатофункціонального сенсора на основі планарного хвилеводу та рідкого кристала. Показано перевагу планарного хвилеводу над волоконним світловодом як елемента трансмісії світла завдяки спрощенню процесу орієнтації РК шару та створення сенсорів зовнішніх полів у приладах інтегральної техніки. The using of liquid crystal material which is sensitive to external fields influence as fibre wave guide envelope is suggested. The new construction of multifunction sensor based on planar wave guide and liquid crystal is considered. The advantage of planar wave guide using as transmission line in comparison with fiber one, that is owing to the liquid crystal orientation process simplicity and possibility of external fields sensors creation in integral optics devices are shown.Item Дослідження властивостей ниткоподібних кристалів (НК) Se і контактів на їх основі(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Варшава, С. С.; Крутяк, Н. Р.; Стасюк, Н. М.Досліджено електричні параметри НК Se: р, n, р (з величини магнітоопору), а також тензочутливість. Розглянуто вплив термовідпалу на їх зміну. На високоомних зразках (~106 Ом-см) досліджені електричні та фотоелектричні характеристики точкових контактів Ме-Se, де Ме - Ag, Au, Cu, Pt. The electrical parameters of Se whiskers: p, n, p, (from the magnetic resistance) and piezoresistance have been studied. An influence of temperature annealing on their change are considered. On the high resistance samples (~106 Ohm-cm) the electrical and photoelectrical characteristics of dot contacts Me-Se have been observed, where Me - Ag, Au, Cu, Pt.Item Надтонка структура ЯГР спектрів та обмінні взаємодії у Y-Sc-ферит-гранатах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Лопатинський, І. Є.; Юр’єв, С. О.; Ющук, С. І.Наведено результати досліджень ферит-гранатів Y3Fe5-xScxO12 (х = 0,5 та 1,0) при Т = 80 та 295 К методом 57Fe ядерної гамма-резонансної спектроскопії (ЯГР). Виявлено магнітно нееквівалентні положення тетраедричних (d) та октаедричних (а) іонів Fe3+. Магнітна нееквівалентність іонів Fe3+(d) зумовлена статистич¬ним розподілом іонів Fe3+(a) та Sc3+ (а) в найближчому оточенні іонів Fe3+(d). Магнітна нееквівалентність іонів )е3+(а) викликана неколінеарністю магнітних моментів іонів Fe3+ в найближчому тетраедричному оточенні. Показано, що перенесення спінової густини в 4-s оболонки іонів Fe3+(d) є незначним. The results of investigations of ferrite-garnet Y3Fe5-xScxO12 (x = 0,5 and 1,0) at T = 80 and 295 K by the 57Fe nuclear resonance method are presented here. Nonequivalent magnetic positions of tetrahedral (d) and octahedral (a) ions Fe3= are discovered. Magnetic non-equivalency of Fe3+(d) ions is caused by statistical distribu¬tion of Fe3+(a) and Sc3+ (a) ions in the nearest surrounding of Fe3+(d) ions. Magnetic non-equivalency of Fe3+(a) ions is caused by non-collinearity of Fe3+ ions in the nearest tetrahedral surrounding. It is shown that the transfer of spin density in 4 -s shell Fe3+(d) is slight.Item R+А-центри в кристалах флюориту. Механізм утворення(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Качан, С. І.Запропоновано механізм утворення високотемпературних центрів забарвлення (R+А-центрів) в кристалах Са F2-M_+ внаслідок локалізації рухливих F- центрів біля ще стабільних при цих температурах М+А-центрів забарвлення. Виявлено, що R+a-центри утворюються в кристалах, легованих лужними домішками, іонний розмір яких менший від катіона основи. In work offered mechanism of making the high-temperature colour center (R+А- center) in CaF2-Me+. Crystals in consequence of localizations rolling F-center near else stable under these temperatures M+A colour centres. Detemined, that R+A-centres are formed in crystals, doped alkali admixtures, ion size which smaller from cation basis.Item Оптико-механічні властивості селеніду цинку(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Білинський, Ю. М.; Захар’яш, О. С.; Кособуцький, П. С.; Лахоцький, Т. В.Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку. Проведено порівняльний аналіз фізичних властивостей селеніду цинку монокристалічного, полікристалічного та матричного типів, а також оптичної кераміки (КО-4). The results of tests of optic and mechanical properties of zinc selenide is presented in this paper. The comparison analysis of zinc selenide of monocryctalline, poli- crystalline and matrix type and optic ceramics (KO-4) is carried out.Item Калориметричний вимірювач надвисокочастотної потужності(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Скрипник, Ю. О.; Юрчик, Г. В.Розглядається калориметричний вимірювач надвисокочастотної потужності з напівпровідниковим термоелектричним перетворювачем, висока точність вимірювання якого забезпечується спеціальним алгоритмом автоматичної ком¬пенсації виникаючих систематичних похибок як мультиплікативного, так і адитивного характеру . A calorymetrical device for very high frequency power measurement is proposed. The device has a semiconductor thermoelectrical transducer; high accuracy of power measurement is provided by special algorithm of compen -sating the arising errors both of multiplicative and additive types.Item МА+-центри в кристалах зі структурою флюориту. механізм утворення фотоіндукованого дихроїзму(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.Досліджено кінетику виникнення фотоіндукованого дихроїзму і температурну залежність релаксації дихроїзму в смугах поглинання МА+-центрів, радіаційно забарвлених кристалів CaF2 і SrF2, легованих катіонами лужних металів. Обговорюються механізми створення фотоіндукованого дихроїзму і його термічного відпалу. Explored kinetics of origin photoinductive dichroism and warm-up dependency to relaxations dichroizm in bands of absorbing МA+-centers, radiation coloured crystals CaF2 and SrF2, doped cations alkaline metals. Discussed mechanisms of creation photoinductive dichroism and its thermal annealing.Item Залежність структури мідно-калбціево-фосфатних стекол від координаційного стану іонів міді(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Романова, Д. В.Досліджено вплив електромагнітного випромінювання (частотою 1 ГГц) і температури на формування структури мідно-кальцієво-фосфатних стекол. У випадку, коли концентрація оксиду міді нижча за 10 %, кожний іон міді має тетраедричне оточення і являє собою незалежний парамагнітний центр. Збільшення концентрації СuО вище за 10 % приводить до об’єднання іонів міді в асоціації. Effect of heating and electromagnetic radiation (frequency-lGHz) on Ше state of the copper ions in the copper-calsium-phosphate glasses structure was investigated. In case when the concentration of copper oxide is lower 10 % every copper ion has tetra- hedric environment and presents in the interaction paramagnetic centers. Increasing concentration of the CuO under 10 % results copper ions combine in the association.Item Високоефективні резонатори на поверхневих акустичних хвилях(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Смеркло, Л. М.; Шкоропад, В. П.Розглянуто питання розробки високоефективних резонаторів на ПАХ. Наведено методику їх розрахунку. Досліджено залежність добротності від кількості елементів решітки і від питомого опору плівки, що формує топологію рисунка резонаторів. Визначено похибку встановлення центральної частоти. The design of high-efficient resonators on surface acoustik waves is considered. The method of resonators calculations is presented. The dependence of Q-factor on grate element amount and on specific resistance of film which forms resonator topological image is investigated. The error of central freguency set is determined.Item Conctructions and materials for heater systems of thick-film gas sensors(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Klepacki, DariuszНаводиться огляд товстоплівкових нагрівних систем на основі резистивних і провідних плівок. Розглянуто різноманітні геометричні розміри таких систем. Наведено приклад моделювання розподілу теплового поля в системі HYBTERM. The paper presents the review of thick-film heaters’ systems based on resistive or conductive films. The different geometrical shapes have been considered. The example of simulation of temperature field distribution (with using HYBTERM program) has also been included.Item Capacitance calculations for system of finite conducting paths(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Wisz, Boguslaw; Kalita, WlodzimierzНаведено результати теоретичного визначення ємності для системи з прямокутними провідними каналами в плівкових мікросхемах. Отримані результати є продовженням попередніх досліджень. У першому випадку розглядаються два паралельні провідні канали з визначеною шириною і довжиною, які розміщені на одному боці діелектричної підкладки невизначених розмірів. В іншому випадку ці канали відхиляються один від одного на кут 2а. Визначення ємності для обох випадків базується на розв’язанні тривимірної крайової задачі. Електричний потенціал подається у формі інтегралів Фур’є, які задовольняють рівняння Лапласа. Виходячи з цього, числовими методами розв’язується рівняння розподілу електричного заряду. На цій основі розраховується величина ємності. Results of theoretical capacitance determination for the rectangular conductive path systems in film microcircuit are presented in this paper. It is a continuation of earlier investigations. In the first order two parallel conductive paths with determined width and length located on the same side of dielectric microcircuit substrate of infinite dimensions is here considered. Next these paths are deflected in relation to each other at an 2a-angle The capacitance determination of both systems is based on the solution of three-dimensional boundary problem. Electrical potential is presented in form of Fourier integrals, satisfying the Laplace’s equation. Resulting from here the equation system of electric charge distribution has next been solved by application of numerical method. On this basis the capacitance value has been calculated.Item Елементи теорії резистивних напівпровідникових сенсорів температури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.; Готра, 0. 3.3а допомогою сучасної кінетичної теорії з’ясовано природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. In this paper the nature of important parameters of semiconductor thermoresistors is cleared up by modern kinetics theory.Item Thick film structure resistor on dielectric(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Gotra, Zenon; Jakubowska, Malgorzata; Szczepanski, ZbiegnewРозглянуто нові товстоплівкові матеріали для структурного резистора на діелектрику і описано властивості такої структури. Досліджено стабільність та п’єзоелектричні властивості резистора на діелектрику. The new set of thick film materials for a structure resistor on dielectric and the properties of the of this structure are presented in this paper. The properties of resistor placed on dielectric such as stability, piezoresistive properties as well as microstructure was investigated.Item Особливості фізико-хімічних властивостей титанового скла як матеріалу радіоелектронної апаратури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Новікова, Л. В.; Вороненко, О. В.Вивчено структуру та властивості титанобарієвого скла двох систем: 1) без домішки міді; 2) з домішкою міді. Встановлено вплив концентрації ТіО2 у складі скла на ряд властивостей. Відзначено, що для першої системи скла характерним є разом з підвищенням коефіцієнта заломлення, підвищення густини, рефракції й мольного об'єму зниження КТЛР та теплопровідності. Для другої системи останні два параметри зростають разом з першими чотирма. A research into peculiar properties of titanum boracic glass was carried out involving its two systems: 1) without addition of copper; 2) with addition of copper. An influence of TiO2 concentrations over a variety of properties was ascertained. It was noted that the first glass system is distinguished by coefficients decrease of temperature linear expansion and heat conductivity together with the coefficients increase of refraction, density and gram-molecule volume. The final two characteristics as well asthe initial four ones expand in relation to the second system.Item Дослідження еволюції дефектної структури опромінених кристалів a-ZnP2 методом анігіляції позитронів і вивчення кінетики мікромеханічних параметрів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Кудін, А. П.Вивчено еволюцію дефектів структури у кристалах червоного дифосфіду цинку при опроміненні і відпалі методом анігіляції позитронів і ідентування. Researched evolution defects of structure in crystals of red zinc diphosphide by irradiation and annealing means of positron annihilation and indentation.Item A contribution to the study of microactuators(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Dovica, Miroslav; Slosarcik, StanislavНаведено основні відомості з галузі мікромеханіки, зокрема класифікація мікроактюаторів з точки зору їх використання при розробці рухомих машин [6]. Описано електростатичні, електромагнітні, п'єзоелектричні, магнітнострикційні актюатори, актюатори, які використовують ефект пам'яті та актюатори на основі полімерних гелів; описано принцип функціонування та практичне застосування кожного з цих типів. Реалізовано функціональну модель рухомої машини для переміщення всередині труби з використанням принципу зіткнення двох мас [3,7] . Дослідження проводилися в рамках проекту 1/7645/20 "Функціональна модель мінімеханізму для вимірювання поверхневих ефектів в тонких трубах внутрішніх стін". The aim of article is presentation of knowledge from fields of micromachines especially classification of micro actuators from viewpoint of their utilisation in the mobile machine design [6]. There are mainly electrostatic, electromagnetic, piezoelectric, giant magnetostrictive alloy actuators, actuators utilising shape memory effect, electro-rheological (ER) fluid and actuators made of polymer gels. For each principle mentioned above the basic behaviour and the practical applications as examples are shown. The functional model of the mobile machine for moving inside the tubes with small diameter utilising the principle of two masses crash [3,7] has been realised in frame of the research grant project 1/7645/20 “Functional Model of Minimechanism for Purpose of Surface Defect Sensing on Thin Tube Internal Wall”.Item Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.Розглянуто математичну модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного залежно від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоретичних розрахунків у межах 5 %. The mathematical model of photoreactive effect in structure of metal-insulator- semiconductor that which describes dependence of full resistance of structure channel on signal frequency and oprical radiation power is considered in this paper. It is shown that channel resistance changes from capacitive to inductive and it depends on radiation power. Experimental tests confirm theoretical calculations in limit of 5 %.Item Багатошарові голограми та їх можливе застосування(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Розглянуто властивості багатошарових голограм. Показано, що двошарові голограми можна використати в електронних системах стабілізації частоти напівпровідникового лазера, а також як високочутливий давач кута обертання. The properties of multi-layered holograms have been discussed. Has been showed that double-layered holograms can be used in electronic schemes of semiconductor laser frequency stabilization and also as a high-sensitive giver of a rotation angle.Item Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.