Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів

Simple item page
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorТиханський, М. В.
dc.contributor.authorШуригін, Ф. М.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-13T10:44:44Z
dc.date.available2018-03-13T10:44:44Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractВикористовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.uk_UA
dc.format.pages201-207
dc.identifier.citationТиханський М. В. Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів / М. В. Тиханський, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 201–207. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39623
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Ван Дузер Т. Физические основы сверхпров. устройств. - М., 1984. 2. Лихарев К.К., Муханов О.А., Семенов В.К. / / ЖЭТФ. - 1987. - 58. — C. 147-154. 3. Рыглов С.В., Семенов В.К. / / Микроэлектроника. - 1988. -1 7 . — C. 195-205. 4. Грачева М.В., Катурников В.А., Руднев И.А. // ФНТ. - 1999. - 25, № 2. - C. 148-152. 5. Зремяк Я.М.,Тихансъкий М.В. // Вісн. Д У "Львівська політехніка ”. - 1998. - № 325. - C. 60-64. 6 . Duzer T. Van. / / IEEE Transactions on M icrowave Theory and Techn. - 1990. - 28. - P. 492-498.uk_UA
dc.rights.holderТиханський М. В., Шуригін Ф. М., 2002uk_UA
dc.subject.udc621.382.323uk_UA
dc.titleМатематична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронівuk_UA
dc.title.alternativeMathematic model of transition process in memory cells based on josephson junctionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
35_201-207.pdf
Size:
161.22 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455