Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик

Simple item page
dc.citation.epage7
dc.citation.issue454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage3
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorЛях, Н. С.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-21T13:26:18Z
dc.date.available2019-08-21T13:26:18Z
dc.date.created2002-03-26
dc.date.issued2002-03-26
dc.description.abstractВивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем.
dc.description.abstractCharacter of iow température conductivity and magnétorésistance of Si-Ge whiskers with Ge content up to 3 at.% near metal-insulator transition (MIT) was studied. In the sampies from the dielectric side of MIT magnétorésistance is determined by conductivity on locaiizated states of Hubbard zones. For metallic whiskers exponential dependence of magnétorésistance on magnetic field is observed.
dc.format.extent3-7
dc.format.pages5
dc.identifier.citationДружинін А. О. Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Н. С. Лях // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 3–7.
dc.identifier.citationenDruzhynin A. O. Providnist i mahnitoopir nytkopodibnykh krystaliv Si-Ge v oblasti perekhodu metal-dielektryk / A. O. Druzhynin, I. P. Ostrovskyi, N. S. Liakh // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 3–7.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45261
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
dc.relation.references1. Бакиров М.Я. Электронные приборы на основе твердых растворов Ge-Si. - Баку, 1986. - 140 с.
dc.relation.references2. Дружинін А. О., Лавитська О.М., Варшава С.С,, Островський І.П., Лях К. С. Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Si-Ge //В існик Н У ”Л П ” "Електроніка ”, 2001 - № 423. - С. 7 6 - 80.
dc.relation.references3. Шкловский В.И , Эфос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М., 1979. - 416 с.
dc.relation.references4. Rafey E.El., SA. EL-Atawy. Magnetoresistance of intermediate concentration n-Ge at helium temperature // Can. J. Phys., 1987. - V. 65. - P. 88.
dc.relation.references5. Gastner T.G., Shafarman W.N. Brooks J.S., Martin K.P. The metal-insulator transiton in n-type Si in high magnetic fields// Solid State Phys, 1988. ~ № 5. - P. 366.
dc.relation.references6. Druzhinin A.? Lavitska E., Maryamova Letal. Studies of Pieoresistance and Piezomagnetoresistance in Si Whiskers at Cryogenic Temperatures / / Cryst. Res. TechnoL, 2002. - Vol. 37. - P. 243 - 257.
dc.relation.references7. Байцар Р.L., Варшава C.C., Островський І.П. Особливості морфології складнолегованих ниткоподібних кристалів Si-Ge / / Вісник ДУ Львівська політехніка”Електроніка” - № 382. - 1999. - С. З - 7.
dc.relation.references8. Druzhinin А., Hortynska /., Maiyamova L., Lavitska E. et.al. Investigation of free and strained germanium whiskers at cryogenic temperatures // Proceedings SPIE, 2000. - VoL 4413. - P. 143 - І47.
dc.relation.references9. Трофимов H.E., Денин A.K. Мурзин В.П, Магнитосопротивление в D зоне: - Препринт. - М , 1989. - 1 2 с.
dc.relation.referencesen1. Bakirov M.Ia. Elektronnye pribory na osnove tverdykh rastvorov Ge-Si, Baku, 1986, 140 p.
dc.relation.referencesen2. Druzhynin A. O., Lavytska O.M., Varshava S.S,, Ostrovskyi I.P., Liakh K. S. Nyzkotemperaturnyi transport nosiiv zariadu v skladnolehovanykh nytkopodibnykh krystalakh Si-Ge //V isnyk N U "L P " "Elektronika ", 2001 - No 423, P. 7 6 - 80.
dc.relation.referencesen3. Shklovskii V.I , Efos A.L. Elektronnye svoistva lehirovannykh poluprovodnikov, M., 1979, 416 p.
dc.relation.referencesen4. Rafey E.El., SA. EL-Atawy. Magnetoresistance of intermediate concentration n-Ge at helium temperature, Can. J. Phys., 1987, V. 65, P. 88.
dc.relation.referencesen5. Gastner T.G., Shafarman W.N. Brooks J.S., Martin K.P. The metal-insulator transiton in n-type Si in high magnetic fields// Solid State Phys, 1988. ~ No 5, P. 366.
dc.relation.referencesen6. Druzhinin A.? Lavitska E., Maryamova Letal. Studies of Pieoresistance and Piezomagnetoresistance in Si Whiskers at Cryogenic Temperatures, / Cryst. Res. TechnoL, 2002, Vol. 37, P. 243 - 257.
dc.relation.referencesen7. Baitsar R.L., Varshava C.C., Ostrovskyi I.P. Osoblyvosti morfolohii skladnolehovanykh nytkopodibnykh krystaliv Si-Ge, / Visnyk DU Lvivska politekhnika"Elektronika" - No 382, 1999, S. Z - 7.
dc.relation.referencesen8. Druzhinin A., Hortynska /., Maiyamova L., Lavitska E. et.al. Investigation of free and strained germanium whiskers at cryogenic temperatures, Proceedings SPIE, 2000, VoL 4413, P. 143 - I47.
dc.relation.referencesen9. Trofimov H.E., Denin A.K. Murzin V.P, Mahnitosoprotivlenie v D zone: - Preprint, M , 1989, 1 2 p.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Дружинін А. О., Островський І. П., Лях Н. С., 2002
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleПровідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454