Двійникування у плівках CdHgTe

Simple item page
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorРудий, І. О.
dc.contributor.authorКурило, І. В.
dc.contributor.authorЛопатинський, І. Є.
dc.contributor.authorВірш, І. С.
dc.contributor.authorФружинський, М. С.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-12T10:55:49Z
dc.date.available2018-03-12T10:55:49Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractМетодом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.uk_UA
dc.format.pages45-50
dc.identifier.citationДвійникування у плівках CdHgTe / І. О. Рудий, І. В. Курило, І. Є. Лопатинський, І. С. Вірт, М. С. Фружинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 45–50. – Бібліографія: 18 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39584
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Кокейн Д., Лу Г., Сикорский А. / / Изв. А Н СССР. Сер. физическая. - 1987. - 51. - C. 722-727. 2. Дворецкий С.А., Бударных В.Н., Гутаковский А.К. и др. / / Докл. А Н СССР. - 1989. - 304. - С. 604-606. 3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин B.C. и др. / / Физ. и техн. полупроводников. - 2000. - 35. - С. 1092-1101. 4. Румш М.А., Новик Ф.Т., Зимкина Т.М. / / Кристаллография. -1962. - 7. - С. 873-877. 5. Семилетов С.А. / / Кристаллография. - 1956. - 1 .- С. 306-310. 6. Палатник Л. С., Бойко Б. Т., Сорокин В.К., Виноградов В.Е. / / Изв. А Н CCC. Неорган. материалы. - 1971. - 7. - С. 1132-1135. 7. Палатник Л.С., Бойко Б.Т., Сорокин В.К. и др. / / Изв. А Н СССР. Неорган. материалыг. - 1971. - 7. - С. 1960-1965. 8. Потыгкевич И.В., Завалин И.В., Филиппова А.Н. и др. / / Физ. электроника. - 1974. - 8. - С. 50-52. 9. Панчеха П.А., Алавердова О.Г., Гнидаш В.И. / / Укр. физ. журн. 2000. 45. С. 75-80 10. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальныге пленки соединений A11B V1. - Л., 1978. 11. Yasushi Yoshioka, Kazuhiro Shimizu, Katsuhiko Takagaki, Masanobu Kasuga / / J. Cryst. Growth. - 2000. - 217. - P. 102-108. 12. Virt 1., Kuzma M.,Wisz G., Rudyj 1., Fruginskii M., Kurilo 1., Lopatynskii 1. / / Mol. Phys. Reports. - 1999. - 23. - P. 206-209. 13. Rudyi 1.О., Kurilo 1.V., FrugynskyjM.S., KuzmaM ., ZawislakJ., Virt 1.S. / / Appl. Surface Sci. - 2000. -1 5 4 -1 5 5 . - P. 206-210. 14. Virt 1.S., Bester M., Dumanski L., Kuzma M., Rudyi 1.О., Frugynskyi M.S., Kurilo 1.V. // Appl. Surface Sci. - 2001. - 177. - P. 201-206. 15. Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурныге превращения в ионныгх пленках. - М., 1988. 16. Cheung J.T. / / Laser-controlled Chem. Process. Surfaces. Symp., Boston, Mass, 14-16 Nov., 1983. NewYork e.a. - P. 301-309. 17. Kuzma M., Sheregii E., Wisz G., Gorbach T.Ya., Smertenko P.S., Ciach R , Rakowska A. // Mol. Phys. Rep. - 1999. - 23. - P. 157-161. 18. Бертулис К.П., Ясутис В.В. / / Литовский физ. сб. - 1981. - XXI. - С. 81.uk_UA
dc.rights.holderРудий І. 0., Курило І. В., Лопатинський І. Є., Вірт І. С., Фружинський М. С., 2002uk_UA
dc.subject.udc539.383 : 548.24uk_UA
dc.titleДвійникування у плівках CdHgTeuk_UA
dc.title.alternativeTwinning in films CdHgTeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
9_45-50.pdf
Size:
616.24 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455