Структура та електричні властивості плівок ZnTe, виготовлених методом імпульсного лазерного напилення

Abstract

Наведено основні результати вимірювань структурних та електричних властивостей тонких плівок ZnTe, отриманих методом Імпульсного Лазерного Напилення (ІЛН) при різних температурах осадження. Встановлено, що метод ІЛН дає змогу отримувати кристалічні плівки ZnTe при зниженій температурі підкладки. Досліджено вплив параметрів вирощування на структуру та електричні властивості вирощених плівок та визначено оптимальні умови напилення. In this paper the main results of measurements of crystalline and electrical properties of ZnTe thin films prepared by Pulsed Laser Deposition (PLD) method at various substrate temperature are presented. We established that (PLD) method allows to grow the ZnTe thin films with good crystallinity at significantly reduced substrate temperature. Study of the effect of growth parameters on the structural quality and electrical properties of grown films were carried out. Optimal deposition conditions were determined.