Capacitive couplings of parallel conducting path systems in hybrid microcircuit

No Thumbnail Available

Date

2005-03-01

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Наведено застосування методу інтегралів Фур'є для визначення паразитних ємностей у паралельних провідних системах. В розглянутому випадку два паралельних провідники однакової ширини розміщені з одного боку діелектричної підкладки визначеної довжини. Запропонований метод базується на розв’язанні тривимірної крайової задачі. Зображений електричний потенціал у формі інтегралів Фур’є виконує умову Лапласа. Як результат отримано систему рівнянь, яка описує розподіл електричних зарядів. Застосовано числовий метод розв’язання системи, який дозволив розрахувати ємність між провідниками.
An application of Fourier integral method for determination of parasitic capacities in parallel conducting path systems is presented. It is a continuation of earlier investigations, which concerned the identification problems of capacitive couplings in hybrid microcircuits. In the considered case two parallel conductive paths of equal width are located on the same side of dielectric microcircuit substrate of finite thickness. The submitted method is based on the solution of three-dimensional boundary problem. Electrical potential is presented here in the form of Fourier integrals, fulfilling the Laplace's equation. As the result the equation system for the distribution of electrical charges is obtained. The numerical solution method of this equation system has been applied. On this basis the capacity between conducting paths has been calculated and experimentally verified.

Description

Keywords

Citation

Wisz B. Capacitive couplings of parallel conducting path systems in hybrid microcircuit / Bogusław Wisz // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 542 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 30–35.