Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку

dc.contributor.authorСиротюк, С. В.
dc.contributor.authorСобчук, І. С.
dc.contributor.authorКраєвський, С. Н.
dc.contributor.authorКинаш, Ю. Є.
dc.date.accessioned2017-03-15T13:59:21Z
dc.date.available2017-03-15T13:59:21Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractЕлектронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.uk_UA
dc.identifier.citationРозрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку / С. В. Cиротюк, І. С. Собчук, С. Н. Краєвський, Ю. Є. Кинаш // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 118–122. – Бібліографія: 16 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/36662
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleРозрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язкуuk_UA
dc.title.alternativeThe evaluation of the electronic density of states in a crystal ithin tight binding energy spectrum modeluk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
23_118-122.pdf
Size:
211.21 KB
Format:
Adobe Portable Document Format