Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку
No Thumbnail Available
Date
2006
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні
Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів.
Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.
Description
Keywords
Citation
Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку / С. В. Cиротюк, І. С. Собчук, С. Н. Краєвський, Ю. Є. Кинаш // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 118–122. – Бібліографія: 16 назв.