Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару арсеніду галію
| dc.contributor.author | Губа, С. К. | |
| dc.contributor.author | Юзевич, В. М. | |
| dc.contributor.author | Курило, І. В. | |
| dc.date.accessioned | 2015-12-17T10:32:20Z | |
| dc.date.available | 2015-12-17T10:32:20Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.description.abstract | Із застосуванням макроскопічних методів фізики поверхні досліджено характер температурних змін фізичних характеристик поверхневих шарів арсеніду галію (GaAs). Встановлено, що в діапазоні температур 300 – 600 K параметри k, b, ξ, які входять у рівняння стану, зросли на 6,3, 5,0 і 6,0 % відповідно. With application of macroscopical methods of physics of a surface character of temperature changes of physical characteristics of superficial layers of GaAs is investigated. It is established, that in a range of temperatures 300 – 600 K parameters k, b, ξ have increased accordingly for 6,3, 5,0 and 6,0 % respectjvely. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Губа С. К. Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару арсеніду галію / С. К. Губа, В. М. Юзевич, І. В. Курило // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 103–107. – Бібліографія: 12 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30563 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару арсеніду галію | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1