Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів

Abstract

Показана можливість створення мультитекстури фотоелектричного перетворювача на основі мультипоруватого кремнію. Розглянуті структурні моделі мультипоруватих текстур і технологічні процеси утворення двошарового поруватого кремнію на підложці p-Si. Спектри відбивання в діапазоні 0,4–1,1 мкм поверхні з мультипоруватою дзвіноподібною структурою показали понижений інтегральний коефіцієнт відбивання порівняно з класичними текстурними поверхнями. Possibility of creation of multitexture of porous silicon is shown, as material of structure for frontal texture of photoelectric converter. The morphological elements model of porous silicon surface are considered relative different pore parameters are shown. The deriving the two-layer porous silicon is considered. The given technology was used for deriving on a surface of a silicon substrate of texture with bell-shaped pore of porous silicon which has been grown by chemical and electrochemical methods.