Способи отримання плівок СdS і CdSe та гетероструктур на їх основі. Огляд

Abstract

Розглянуто основні методи синтезу тонких плівок кадмій сульфіду (CdS) та кадмій селеніду (CdSe). Проаналізовано умови синтезу та властивості тонких плівок CdS та CdSe і фоточутливих гетероструктур на їх основі. Вивчено перспективи практичного використання хімічних методів. Основну увагу приділено аналізу і порівнянню морфологічних та оптичних властивостей плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду, отриманих фізичними, хімічними та комбінованими методами. Здійснено аргументований вибір оптимального методу хімічного поверхневого осадження для одержання тонких плівок CdS та CdSe, які можна використати як буферні шари у сонячних елементах.
The main methods of cadmium sulfide (CdS) and cadmium selenide (CdSe) thin films synthesis are considered. The synthesis conditions and properties of CdS and CdSe thin films and photosensitive heterostructures based on them are analyzed. The possibilities of chemical methods practical use are studied. The main attention is paid to the analysis and comparison of the morphological and optical properties of cadmium sulfide and cadmium selenide films obtained by physical, chemical and combined methods. A well-reasoned choice of the chemical surface deposition optimal method for obtaining CdS and CdSe thin films, which can be used as a buffer layers in solar cells, was made.

Description

Keywords

кадмій сульфід, кадмій селенід, тонкі плівки, хімічне поверхневе осадження, cadmium sulfide, cadmium selenide, thin films, chemical surface deposition

Citation

Способи отримання плівок СdS і CdSe та гетероструктур на їх основі. Огляд / Р. Р. Гумінілович, П. Й. Шаповал, Й. Й. Ятчишин, В. Є. Стаднік, М. А. Созанський // Chemistry, Technology and Application of Substances. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Том 2. — № 1. — С. 1–9.