Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.

Simple item page
dc.contributor.authorЗаячук, Д. М.
dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.contributor.authorМихащук, Ю. С.
dc.date.accessioned2010-02-24T17:42:37Z
dc.date.available2010-02-24T17:42:37Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractРозроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.uk
dc.identifier.citationЗаячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, Ю. С. Михащук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 71–76. – Бібліографія: 10 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2608
dc.language.isouauk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”uk
dc.subjectгалієві розчини-розплавиuk
dc.subjectтехнологічні режимиuk
dc.subjecttechnological conditionsuk
dc.subjectgrowing of GaAsuk
dc.titleФормування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.uk
dc.title.alternativeFormation of gaas buffer layers for growing of quantum dots by low temperature liquid phase epitaxy method
dc.typeArticleuk

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
11.pdf
Size:
779.15 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроніка. – 2009. – №646