Дослідження магнітних частотних перетворювачів з магніточутливим елементом на основі біполярних транзисторів

Abstract

Розглянуто вплив магнітного поля на розподіл інжектованих носіїв заряду у базі біполярного транзистора, який с магніточутливим елементом частотного магнітного перетворювача На основі системи рівнянь, що описує нелінійну еквівалентну схему пристрою, отримана функція перетворення і рівняння чутливості. Рассмотрено влияние магнитного поля на распределение инжектированных носителей заряда в базе биполярного транзистора, который является магниточувствительным элементом частотного магнитного преобразователя. На основе системы уравнений, которые описывают нелинейную жвивалентную схему устройства, получена функция преобразования и уравнение чувствительности. In paper the influence of a magnetic field to allocation of injected carriers of a charge in basis of the bipolar transistor is considered which is magnetic by a sensing device of the frequency magnetic converter. On the basis of combined equations, which feature a nonlinear equivalent circuit of the device, the function of convertation and equation of sensitivity is obtained.