Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі

Simple item page
dc.citation.epage174
dc.citation.issue443 : Радіоелектроніка та телекомунікації
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage169
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationФізико-механічний інститут імені Г. В. Карпенка НАН України
dc.contributor.authorВоронін, В. О.
dc.contributor.authorГуба, С. К.
dc.contributor.authorЛитвин, М. О.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-28T09:46:24Z
dc.date.available2019-08-28T09:46:24Z
dc.date.created2001-03-27
dc.date.issued2001-03-27
dc.description.abstractОписується математична модель росту арсеніду галію в хлоридній газотранспортній системі в режимі, при якому швидкість росту залежить від швидкості масодоставки і активаційних процесів на поверхні підкладки.
dc.description.abstractThe mathematical model of growth of gallium arsenide in chlorid gas transport system in a mode at which growth rate depends on speed of mass bringing and activation processes on a surface of a substrate is described.
dc.format.extent169-174
dc.format.pages6
dc.identifier.citationВоронін В. О. Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвин // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 169–174.
dc.identifier.citationenVoronin V. O. Odnokomponentna model epitaksiinoho rostu GaAs z hazovoi fazy pry perekhidnomu rezhymi / V. O. Voronin, S. K. Huba, M. O. Lytvyn // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — P. 169–174.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45296
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації, 2002
dc.relation.references1. Ганкин В.И., Грачева Т.Г, Колявына Т.М., и др. Наивысише параметры основных классов изделий электронной техники, достигнутые к 1988 году // Зарубежная электронная техника. №7. - Вып. 321. - С. 157.
dc.relation.references2. Иден П.С. Сравнение перспективности различных приборов на GaAs для сверхскоростных СБИС // ТИИЭР, Т. 70, №1, 1982, С. 8-17.
dc.relation.references3. Shaw D. W., Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of 11I-V compounds // J. Crystal Growth,v.31, Ml, 1975, p i 30-141.
dc.relation.references4. Mizuno D, Watanabe H, Vapor growth kinetics of III-V compounds in a hyrogen - inert gas mihed carrier system / / J Cryst. Growth, v. JO, N2, 1975, p.240-248.
dc.relation.references5. Вороній B.O., Губа С.К, Литвин М.О., Рибачук В.О. Числове моделювання росту шарів арсеніду галлію в хлоридній газотранспортній системі //Вісник НУ “Львівська політехніка”, Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки, N 427, 2001- С. 3-9.
dc.relation.references6. Keckes A., Binder Я, Gofmann G., Koukitu A., Schonherr Е. Growth of GaP doping supper lattices by isotermal vapor phase epitahy // Crystal Properties and Preparation vol. 32-34, 1991 P. 520-525.
dc.relation.references7. Bulsary A.B., Orasen M.E., Goice J. The Influence of Axial on Convective Heat and Mass Transfer in a Horisontal CVD Reactor // J. Crystal Growth. N1-2, V.92, 1988 P. 294-310.
dc.relation.referencesen1. Hankin V.I., Hracheva T.H, Koliavyna T.M., and other Naivysishe parametry osnovnykh klassov izdelii elektronnoi tekhniki, dostihnutye k 1988 yearu, Zarubezhnaia elektronnaia tekhnika. No 7, Iss. 321, P. 157.
dc.relation.referencesen2. Iden P.S. Sravnenie perspektivnosti razlichnykh priborov na GaAs dlia sverkhskorostnykh SBIS, TIIER, V. 70, No 1, 1982, P. 8-17.
dc.relation.referencesen3. Shaw D. W., Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of 11I-V compounds, J. Crystal Growth,v.31, Ml, 1975, p i 30-141.
dc.relation.referencesen4. Mizuno D, Watanabe H, Vapor growth kinetics of III-V compounds in a hyrogen - inert gas mihed carrier system, / J Cryst. Growth, v. JO, N2, 1975, p.240-248.
dc.relation.referencesen5. Voronii B.O., Huba S.K, Lytvyn M.O., Rybachuk V.O. Chyslove modeliuvannia rostu shariv arsenidu halliiu v khlorydnii hazotransportnii systemi //Visnyk NU "Lvivska politekhnika", Elementy teorii ta prylady tverdotilnoi elektroniky, N 427, 2001- P. 3-9.
dc.relation.referencesen6. Keckes A., Binder Ia, Gofmann G., Koukitu A., Schonherr E. Growth of GaP doping supper lattices by isotermal vapor phase epitahy, Crystal Properties and Preparation vol. 32-34, 1991 P. 520-525.
dc.relation.referencesen7. Bulsary A.B., Orasen M.E., Goice J. The Influence of Axial on Convective Heat and Mass Transfer in a Horisontal CVD Reactor, J. Crystal Growth. N1-2, V.92, 1988 P. 294-310.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Воронін В. О., Губа С. К., Литвин М. О., 2002
dc.subject.udc539.291.1
dc.titleОднокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі
dc.typeArticle

Files

Original bundle

Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
2002n443___Radioelektronika_ta_telekomunikatsii_Voronin_V_O-Odnokomponentna_model_169-174.pdf
Size:
1.06 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
Thumbnail Image
Name:
2002n443___Radioelektronika_ta_telekomunikatsii_Voronin_V_O-Odnokomponentna_model_169-174__COVER.png
Size:
3.1 MB
Format:
Portable Network Graphics
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.99 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Радіоелектроніка та телекомунікації. – 2002. – №443