Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля

dc.contributor.authorБольшакова, І. А.
dc.contributor.authorВіерербл, Л.
dc.contributor.authorДюран, І.
dc.contributor.authorЄрашок, В. Е.
dc.contributor.authorМакідо, О. Ю.
dc.contributor.authorШуригін, Ф. М.
dc.contributor.authorМороз, А. П.
dc.contributor.authorКовальова, Н. В.
dc.date.accessioned2012-05-22T09:42:51Z
dc.date.available2012-05-22T09:42:51Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractДосліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури. Проведены исследования влияия нейтронного облучения на параметры тонкопленочных сенсоров магнитного поля на основе InAs и InSb. Определено влияние спектра нейтронов на величину изменения параметров сенсоров. Представлены результаты отжига радиационных дефектов облученных образцов. Показано, что изменения параметра сенсоров на основе многослойных структур определяется не только проведением,материала рабочего слоя, но и влиянием нейтронного облучения на свойства буферных слоев данной структури.The investigation of neutron irradiation e ect on the parameters of thin-film magnetic field sensors based on InAs and InSb was conducted. The e ffect of neutron spectrum on sensor parameters' change value was determined. The results of radiation defects' annealing of the irradiated samples are presented. It is shown that parameter change of the sensors based on multilayer structures are defined by not only the working layer behavior, but also by the impact of neutron irradiation on the buffer layer properties of this structure.uk_UA
dc.identifier.citationДослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля / І. А. Большакова, Л. Віерербл, І. Дюран, В. Е. Єрашок, Н. В. Ковальова, О. Ю. Макідо, А. П. Мороз, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 718 : Фізико-математичні науки. – С. 127–133. – Бібліографія: 10 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12666
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectsemiconductor sensorsuk_UA
dc.subjectindium arsenideuk_UA
dc.subjectindium antimoniduk_UA
dc.subjectmultilayer heterostructureuk_UA
dc.subjectneutron irradiationuk_UA
dc.subjectнапівпровідникові сенсориuk_UA
dc.subjectарсенід індіюuk_UA
dc.subjectантимонід індіюuk_UA
dc.subjectбагатошарові гетероструктуриuk_UA
dc.subjectнейтронне опроміненняuk_UA
dc.subjectполупроводниковые сенсорыuk_UA
dc.subjectарсенид индияuk_UA
dc.subjectантимонид индияuk_UA
dc.subjectмногслоцные гетероструктурыuk_UA
dc.subjectнейтронное облучениеuk_UA
dc.titleДослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поляuk_UA
dc.title.alternativeИсследование влияния нейтронного облучения на тонкопленочные сенсоры магнитного поляuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of neutron irradiation effect on thin-film magnetic field sensorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
17_дослідження впливу.pdf
Size:
1.17 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.06 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: