Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур
| dc.contributor.author | Павлиш, Володимир | |
| dc.contributor.author | Даичишии, Ігор | |
| dc.contributor.author | Закалик, Любов | |
| dc.contributor.author | Іваник, Ростислав | |
| dc.contributor.author | Корж, Роман | |
| dc.date.accessioned | 2017-09-08T11:12:21Z | |
| dc.date.available | 2017-09-08T11:12:21Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.description.abstract | Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур / Володимир Павлиш, Ігор Даичишии, Любов Закалик, Ростислав Іваник, Роман Корж // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 477 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 237–240. – Бібліографія: 8 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39114 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету «Львівська політехніка» | uk_UA |
| dc.title | Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |