Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем
No Thumbnail Available
Date
2014
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення
цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно
впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки
високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування,
недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si). Among the semiconductors in latitude use in microelectronics for digital circuits silicon has been and remains the main material. However, today began intensively implemented circuits based on gallium arsenide. Gallium arsenide circuits because of the high charge carrier mobility in GaAs with a frequency range of operation of reach for chips based on silicon (Si).
Description
Keywords
супер-бета транзистор, гетероструктура, арсенід галію, кремній, реактори електронно-циклотронного резонансу, super-beta transistor, heterostructure, gallium arsenide, silicon, reactors electron-cyclotron resonance
Citation
Новосядлий С. П. Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2014. – № 806 : Комп'ютерні системи та мережі. – С. 199–207. – Бібліографія: 6 назв.