Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем

Simple item page
dc.contributor.authorНовосядлий, С. П.
dc.contributor.authorМельник, Л. В.
dc.date.accessioned2015-04-29T12:55:46Z
dc.date.available2015-04-29T12:55:46Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractСеред напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si). Among the semiconductors in latitude use in microelectronics for digital circuits silicon has been and remains the main material. However, today began intensively implemented circuits based on gallium arsenide. Gallium arsenide circuits because of the high charge carrier mobility in GaAs with a frequency range of operation of reach for chips based on silicon (Si).uk_UA
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2014. – № 806 : Комп'ютерні системи та мережі. – С. 199–207. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/27231
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectсупер-бета транзисторuk_UA
dc.subjectгетероструктураuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectкремнійuk_UA
dc.subjectреактори електронно-циклотронного резонансуuk_UA
dc.subjectsuper-beta transistoruk_UA
dc.subjectheterostructureuk_UA
dc.subjectgallium arsenideuk_UA
dc.subjectsiliconuk_UA
dc.subjectreactors electron-cyclotron resonanceuk_UA
dc.titleФізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних системuk_UA
dc.title.alternativePhysical topological aspects of modeling gallium arsenide super beta transistor for speed LIC ofcomputer systemsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
31-199-207.pdf
Size:
352.4 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Комп'ютерні системи та мережі. – 2014. – №806