Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing
Loading...
Files
Date
2012
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
There is shown the use of test structure for DMOS-structure threshold voltage control and correction.
Description
Keywords
DMOS transistors, threshold voltage
Citation
Politansky L. Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing / Leonid Politansky, Valentin Lesinsky // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 448. – Bibliography: 2 titles.