Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing
| dc.contributor.author | Politansky, Leonid | |
| dc.contributor.author | Lesinsky, Valentin | |
| dc.date.accessioned | 2012-09-17T12:28:01Z | |
| dc.date.available | 2012-09-17T12:28:01Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | There is shown the use of test structure for DMOS-structure threshold voltage control and correction. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Politansky L. Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing / Leonid Politansky, Valentin Lesinsky // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 448. – Bibliography: 2 titles. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14381 | |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | uk_UA |
| dc.subject | DMOS transistors | uk_UA |
| dc.subject | threshold voltage | uk_UA |
| dc.title | Eexpress method of threshold voltage control of DMOS transistors in the process of their manufacturing | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |