Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)
No Thumbnail Available
Files
Date
2009
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.
Description
Keywords
розсіяння носія заряду, рухливість важких дірок, charge carrier scattering, heavy-hole mobility
Citation
Малик О. П. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9) / О. П. Малик // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 158–163. – Бібліографія: 31 назвa.