Електрофізичні та магнітотранспортні характеристики ниткоподібних кристалів GaAs для сенсорної електроніки

Abstract

Дисертація присвячена встановленню закономірностей зміни магнітотранспортних та електротранспортних характеристик ниткоподібних кристалів арсеніду галію, при різних рівнях домішкового легування поблизу переходу метал-діелектрик під ефективним впливом зовнішніх полів (магнітного поля, температури та деформації) для створення сенсорів фізичних величин, дієздатних у складних умовах експлуатації.The dissertation is devoted to establishing regularities in the change of magnetotransport and electrotransport characteristics of GaAs nanowires at various levels of doping near the metal-dielectric transition under the effective influence of external fields (magnetic field, temperature, and deformation) for the creation of sensors for physical quantities capable of operating in complex operating conditions