Електрофізичні та магнітотранспортні характеристики ниткоподібних кристалів GaAs для сенсорної електроніки

Чемерис , Дмитро Вікторович

Електрофізичні та магнітотранспортні характеристики ниткоподібних кристалів GaAs для сенсорної електроніки

dc.contributor.affiliation	Національний університет «Львівська політехніка»
dc.contributor.author	Чемерис , Дмитро Вікторович
dc.coverage.placename	Львів
dc.date.accessioned	2024-08-21T07:03:29Z
dc.date.issued	2024
dc.date.submitted	2024
dc.description.abstract	Дисертація присвячена встановленню закономірностей зміни магнітотранспортних та електротранспортних характеристик ниткоподібних кристалів арсеніду галію, при різних рівнях домішкового легування поблизу переходу метал-діелектрик під ефективним впливом зовнішніх полів (магнітного поля, температури та деформації) для створення сенсорів фізичних величин, дієздатних у складних умовах експлуатації.The dissertation is devoted to establishing regularities in the change of magnetotransport and electrotransport characteristics of GaAs nanowires at various levels of doping near the metal-dielectric transition under the effective influence of external fields (magnetic field, temperature, and deformation) for the creation of sensors for physical quantities capable of operating in complex operating conditions
dc.format.pages	126
dc.identifier.citation	Чемерис Д. В. Електрофізичні та магнітотранспортні характеристики ниткоподібних кристалів GaAs для сенсорної електроніки : дисертація на здобуття наукового ступеня доктора філософії : 153 мікро- та наносистемна техніка / Дмитро Вікторович Чемерис ; Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів, 2024. – 126 с. – Бібліографія: с. 106–126 (163 назви).
dc.identifier.uri	https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/62664
dc.language.iso	uk
dc.publisher	Національний університет «Львівська політехніка»
dc.source.uri	https://lpnu.ua/rada-phd/128
dc.subject	сенсор, арсенід галію, хімічним осадженням з парової фази (CVD), хімічні транспортні реакції (ХТР), осциляції Шубнікова – де Гааза, спінорбітальна взаємодія (SOI), слабка антилокалізація (WАL), слабка локалізація (WL), 5 магніторезистивний ефект, перехід метал-діелектрик, кріогенні температури, магнітопір, електропровідність, ниткоподібний кристал, sensor, gallium arsenide, chemical vapor deposition (CVD), chemical transport reactions (CTR), Shubnikov–de Haas oscillations, spin-orbit interaction (SOI), weak anti-localization (WAL), weak localization (WL), magnetoresistive effect, metaldielectric transition, cryogenic temperatures, magnetoresistance, electrical conductivity, whiskers.
dc.title	Електрофізичні та магнітотранспортні характеристики ниткоподібних кристалів GaAs для сенсорної електроніки
dc.title.alternative	Electrophysical and magnetotransport characteristics of GaAs nanowires for sensor electronics
dc.type	Dissertation