Врахування ефекту консервації заряду в BSIM-моделях
No Thumbnail Available
Date
2004
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Розглядаються особливості реалізації і застосування взаємних ємностей, які відображають ефект консервації заряду в КМОН-моделях на прикладі моделі BS1M3 версії v3. Charge Conservation approach in CMOS models on the basis of BSlM3v3 is discussed. Approaches for realization of basic functions of model parameters accounting are proposed.
Description
Keywords
Citation
Корначевський Я. Врахування ефекту консервації заряду в BSIM-моделях / Я. Корначевський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 501 : Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 137–140. – Бібліографія: 8 назв.