Врахування ефекту консервації заряду в BSIM-моделях

Simple item page
dc.contributor.authorКорначевський, Я.
dc.date.accessioned2017-08-23T12:16:38Z
dc.date.available2017-08-23T12:16:38Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractРозглядаються особливості реалізації і застосування взаємних ємностей, які відображають ефект консервації заряду в КМОН-моделях на прикладі моделі BS1M3 версії v3. Charge Conservation approach in CMOS models on the basis of BSlM3v3 is discussed. Approaches for realization of basic functions of model parameters accounting are proposed.uk_UA
dc.identifier.citationКорначевський Я. Врахування ефекту консервації заряду в BSIM-моделях / Я. Корначевський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 501 : Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 137–140. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38827
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету «Львівська політехніка»uk_UA
dc.titleВрахування ефекту консервації заряду в BSIM-моделяхuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
25_137-140.pdf
Size:
163.82 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Комп'ютерні системи проектування теорія і практика. – 2004. – №501