Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі
No Thumbnail Available
Date
2005-03-01
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Для діапазону температур 290 – 450 К розраховано відносні зміни фононної складової надлишкової сили, що діє на центр розсіяння в матеріалах з різною температурою
Дебая з боку лазерної ударної хвилі. Виконані на кремнієвих структурах експерименти
показують перспективність керування властивостями приповерхневих шарів твердих
тіл при лазерній ударно-хвильовій обробці оптимізацією температурних умов опромінення, що впливають на фононну складову сили, зумовленої ударною хвилею.
Relative changes of phonon component of excess force, acting on the scattering centres in materials with different Debye temperature from laser shock wave within the temperature interval 290 – 450 K are calculated. Experiments with Si structures verify the perspective of interface layers solid states control by the optimization of temperature conditions, which influence on phonon component of force caused by the shock wave.
Relative changes of phonon component of excess force, acting on the scattering centres in materials with different Debye temperature from laser shock wave within the temperature interval 290 – 450 K are calculated. Experiments with Si structures verify the perspective of interface layers solid states control by the optimization of temperature conditions, which influence on phonon component of force caused by the shock wave.
Description
Keywords
Citation
Ковалюк Б. П. Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі / Б. П. Ковалюк, Ю. М. Нікіфоров // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 28–33.