Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі

Simple item page
dc.citation.epage33
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage28
dc.contributor.affiliationТернопільський державний технічний університет ім. Івана Пулюя
dc.contributor.authorКовалюк, Богдан Павлович
dc.contributor.authorНікіфоров, Юрій Миколайович
dc.contributor.authorKovalyuk, B. P.
dc.contributor.authorNikiforov, Yu. N.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:36Z
dc.date.available2020-03-20T07:36:36Z
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.description.abstractДля діапазону температур 290 – 450 К розраховано відносні зміни фононної складової надлишкової сили, що діє на центр розсіяння в матеріалах з різною температурою Дебая з боку лазерної ударної хвилі. Виконані на кремнієвих структурах експерименти показують перспективність керування властивостями приповерхневих шарів твердих тіл при лазерній ударно-хвильовій обробці оптимізацією температурних умов опромінення, що впливають на фононну складову сили, зумовленої ударною хвилею.
dc.description.abstractRelative changes of phonon component of excess force, acting on the scattering centres in materials with different Debye temperature from laser shock wave within the temperature interval 290 – 450 K are calculated. Experiments with Si structures verify the perspective of interface layers solid states control by the optimization of temperature conditions, which influence on phonon component of force caused by the shock wave.
dc.format.extent28-33
dc.format.pages6
dc.identifier.citationКовалюк Б. П. Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі / Б. П. Ковалюк, Ю. М. Нікіфоров // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 28–33.
dc.identifier.citationenKovalyuk B. P. Control of surface layer imperfectness of silicon structure changing the phonon pressure caused by shock wave propagation in the crystal / B. P. Kovalyuk, Yu. N. Nikiforov // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 28–33.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47520
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.relation.references1. Байдуллаева А., Булах М.Б., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. // ФТП.– 2004.– Т.38. – Вып. 1.– С. 26–29.
dc.relation.references2. Берченко М.М., Ковалюк Б.П., Нікіфоров Ю.М., Яковина В.С. // Вісник НУ “Львівська політехніка”.– 2003.– № 482. – С. 33–38.
dc.relation.references3. Нищенко М.М., Ковалюк Б.П., Никифоров Ю.Н. // Металлофизика. Новейшие технологии.– 2004.– Т. 26, № 9.– С. 1227–1240.
dc.relation.references4. Кривцов А.М. // ФТТ.– 2004.– Т.46, № 6.– С. 1025–1030.
dc.relation.references5. Янушкевич В.А. // ФизХОМ.– 1979.– № 2.– С. 47–51.
dc.relation.references6 Янушкевич В.А., Полянинов А.В., Пруцков Е.Г., Полыгалов Г.А. // Изв. АН СССР. Сер. физич.– 1985.– Т. 49, № 6.– С.114–1152.
dc.relation.references7. Yakovyna V., Berchenko N., Nikiforov Y. and Izhnin A. // Phys. Stat. Sol. (C) 1.–2004.– P. 682–684.
dc.relation.references8. Кукушкин С.А. // Успехи механики.– 2003.– №2.– С. 21–44.
dc.relation.referencesen1. Baidullaeva A., Bulakh M.B., Vlasenko A.I., Lomovtsev A.V., Mozol P.E., FTP, 2004, V.38, Iss. 1, P. 26–29.
dc.relation.referencesen2. Berchenko M.M., Kovaliuk B.P., Nikiforov Yu.M., Yakovyna V.S., Visnyk NU "Lvivska politekhnika", 2003, No 482, P. 33–38.
dc.relation.referencesen3. Nishchenko M.M., Kovaliuk B.P., Nikiforov Iu.N., Metallofizika. Noveishie tekhnolohii, 2004, V. 26, No 9, P. 1227–1240.
dc.relation.referencesen4. Krivtsov A.M., FTT, 2004, V.46, No 6, P. 1025–1030.
dc.relation.referencesen5. Ianushkevich V.A., FizKhOM, 1979, No 2, P. 47–51.
dc.relation.referencesen6 Ianushkevich V.A., Polianinov A.V., Prutskov E.H., Polyhalov H.A., Izv. AN SSSR. Ser. fizich, 1985, V. 49, No 6, P.114–1152.
dc.relation.referencesen7. Yakovyna V., Berchenko N., Nikiforov Y. and Izhnin A., Phys. Stat. Sol. (C) 1.–2004, P. 682–684.
dc.relation.referencesen8. Kukushkin S.A., Uspekhi mekhaniki, 2003, No 2, P. 21–44.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Ковалюк Б.П., Нікіфоров Ю.М., 2005
dc.subject.udc539.12.04
dc.subject.udc621.378.325
dc.titleКерування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі
dc.title.alternativeControl of surface layer imperfectness of silicon structure changing the phonon pressure caused by shock wave propagation in the crystal
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2005. – №532