Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм

Simple item page
dc.citation.epage20
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage15
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.affiliationЛьвівський національний університет ім. І. Франка
dc.contributor.authorБольшакова, І. А.
dc.contributor.authorКость, Я. Я.
dc.contributor.authorЛуців, Р. В.
dc.contributor.authorМакідо, О. Ю.
dc.contributor.authorМосковець, Т. А.
dc.contributor.authorBolshakova, I. A.
dc.contributor.authorKost’, Ya. Ya.
dc.contributor.authorLutsiv, R. V.
dc.contributor.authorMakido, O. Yu.
dc.contributor.authorA Moskovets’, T.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:31Z
dc.date.available2020-03-20T07:36:31Z
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.description.abstractДосліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.
dc.description.abstractThe possibility of indium antimonide microcrystals alloying by lanthanides range elements in the process of its growth by chemical transport reactions is researched. For the first time the physics-chemical processes modeling, which take place in InSb-Er-J2 iodide system during crystal growth in ampullaceous reactors of closed type, is performed and optimal temperatures of their growth are determined. Dependence of electro-physical parameters of grown microcrystals InSb alloyed by Er from the quantity of introduced impurity into (furnace) charge is determined.
dc.format.extent15-20
dc.format.pages6
dc.identifier.citationОсобливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, Р. В. Луців, О. Ю. Макідо, Т. А. Московець // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 15–20.
dc.identifier.citationenGrowth process peculiarities of InSb microcrystals alloyed by erbium / I. A. Bolshakova, Ya. Ya. Kost’, R. V. Lutsiv, O. Yu. Makido, T. A Moskovets’ // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 15–20.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47514
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.relation.references1. Bolshakova I.A., Gurjeva T.E., Moskovets T.A., Zayachuk D.M. InSb microcrystals to be used under extreme operating conditions. Proceeding of 9th Inter. Conf. of narrow gap semiconductors, Berlin, Germany, 1999, p.33–35.
dc.relation.references2. Givargizov E.I., Stepanova A.N., Obolenskaya L.N., Mashkova E.S., Molchanov V.A., Givargizov M.E. and Rangelow I.W. Whisker probes, Ultramicroscopy, 82 (2000) 57.
dc.relation.references3. Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Krukovsky S.I., Zayachuk D.M., Radiation resistant microcrystals and thin films of III-V semiconductors. Mater. Sci. Eng. B69-70 (2000) 441.
dc.relation.references4. Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. Редкоземельные элементы в полупроводниках А3В5 // Физика и техника полупроводников. – 1990. – Т.24, в.4. – С.610–629.
dc.relation.references5. Гореленок А.Т., Капанин А.В., Шмидт Н.М. Редкоземельные элементы в технологии соединений А3В5 и приборов на их основе // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т.37, в.8.– С.922–939.
dc.relation.references6. Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Кумар Ракеш и др. Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных резкоземельными элементами // Физика и техника полупроводников. – 1988. – Т.22, в.1. – С.35–39.
dc.relation.references7. Карпов Ю.А., Мазуренко В.В., Петров В.В. и др. О взаимодействии атомов редкоземельных элементов с кислородом в кремнии // Физика и техника полупроводников. – 1984. – Т.18, в.2. –– с.368-369.
dc.relation.references8. Захаренков Л.Ф., Мастеров В.Ф., Хохрякова О.Д. О влиянии лантаноидов на электрические свойства объемных монокристаллов InP // Физика и техника полупроводников.- 1987. – Т.21,в.2. – С.347–349.
dc.relation.references9. Искендер-заде З.А., Джаббаров Р.М., Салимов И.Н., Гашим-заде Ф.М. Получение и электрофизические свойства антимонида индия, легированного самарием // Изв. АН СССР. Сер.Неорганические материалы. – 1991. – Т.27, №2. – С.416–417.
dc.relation.references10. Klik M.A.J., Izeddin I., Phillips J., Gregorkiewicz T. Excitation paths in RE-doped III-V semiconductors // Materials science and Engineering B. – 2003. – Vol.105. – P.141–145.
dc.relation.references11. Евгеньев С.Б., Кузьмичева Г.М. Состояние примесей Р.З.М. в антимонидах галлия и индия // АН СССР. Сер.Неорганические материалы. – 1990. – том 26, №6. – С.1148–1151.
dc.relation.references12. Заитов Ф.А., Горшкова О.В., Поляков А.Я., Попков А.Н., Хлыстовская М.Д. О поведении гадолиния в антимониде индия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. – 1983. – Т.174, №1. – С.29–31.
dc.relation.references13. Мастеров В.Ф. Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях АIIIВV // Физика и техника полупроводников.- 1993. – Т.27,в.9. – С.1435–1451.
dc.relation.references14. Большакова І.А., Московець Т. А. Макідо Е.Ю., Шуригін Ф.М. Дослідження масопереносу InSb в системі InSb – J2// Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. – 2004. – №513. – C.48–54.
dc.relation.references15. Термодинамические свойства неорганических веществ // Справочник. Под общей редакцией д-ра техн. наук А. П. Зефірова. – М.: Атомиздат. – 1965. – 460 с.
dc.relation.references16. Гордиенко С.П., Феночка Б.В., Виксман Г.Ш. Термодинамика соединений лантаноидов. Справочник. – К.: Наукова думка. – 1979. – 376 с.
dc.relation.referencesen1. Bolshakova I.A., Gurjeva T.E., Moskovets T.A., Zayachuk D.M. InSb microcrystals to be used under extreme operating conditions. Proceeding of 9th Inter. Conf. of narrow gap semiconductors, Berlin, Germany, 1999, p.33–35.
dc.relation.referencesen2. Givargizov E.I., Stepanova A.N., Obolenskaya L.N., Mashkova E.S., Molchanov V.A., Givargizov M.E. and Rangelow I.W. Whisker probes, Ultramicroscopy, 82 (2000) 57.
dc.relation.referencesen3. Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Krukovsky S.I., Zayachuk D.M., Radiation resistant microcrystals and thin films of III-V semiconductors. Mater. Sci. Eng. B69-70 (2000) 441.
dc.relation.referencesen4. Masterov V.F., Zakharenkov L.F. Redkozemelnye elementy v poluprovodnikakh A3V5, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1990, V.24, v.4, P.610–629.
dc.relation.referencesen5. Horelenok A.T., Kapanin A.V., Shmidt N.M. Redkozemelnye elementy v tekhnolohii soedinenii A3V5 i priborov na ikh osnove, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2003, V.37, v.8, P.922–939.
dc.relation.referencesen6. Horelenok A.T., Hruzdov V.H., Kumar Rakesh and other Kontsentratsiia i podvizhnost elektronov v InP i In0.53Ga0.47As, lehirovannykh rezkozemelnymi elementami, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1988, V.22, v.1, P.35–39.
dc.relation.referencesen7. Karpov Iu.A., Mazurenko V.V., Petrov V.V. and other O vzaimodeistvii atomov redkozemelnykh elementov s kislorodom v kremnii, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1984, V.18, v.2, P.368-369.
dc.relation.referencesen8. Zakharenkov L.F., Masterov V.F., Khokhriakova O.D. O vliianii lantanoidov na elektricheskie svoistva obieemnykh monokristallov InP, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1987, V.21,v.2, P.347–349.
dc.relation.referencesen9. Iskender-zade Z.A., Dzhabbarov R.M., Salimov I.N., Hashim-zade F.M. Poluchenie i elektrofizicheskie svoistva antimonida indiia, lehirovannoho samariem, Izv. AN SSSR. Ser.Neorhanicheskie materialy, 1991, V.27, No 2, P.416–417.
dc.relation.referencesen10. Klik M.A.J., Izeddin I., Phillips J., Gregorkiewicz T. Excitation paths in RE-doped III-V semiconductors, Materials science and Engineering B, 2003, Vol.105, P.141–145.
dc.relation.referencesen11. Evhenev S.B., Kuzmicheva H.M. Sostoianie primesei R.Z.M. v antimonidakh halliia i indiia, AN SSSR. Ser.Neorhanicheskie materialy, 1990, V. 26, No 6, P.1148–1151.
dc.relation.referencesen12. Zaitov F.A., Horshkova O.V., Poliakov A.Ia., Popkov A.N., Khlystovskaia M.D. O povedenii hadoliniia v antimonide indiia, Elektronnaia tekhnika. Ser.6. Materialy, 1983, V.174, No 1, P.29–31.
dc.relation.referencesen13. Masterov V.F. Elektronnaia struktura primesei redkozemelnykh elementov v soedineniiakh AIIIVV, Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1993, V.27,v.9, P.1435–1451.
dc.relation.referencesen14. Bolshakova I.A., Moskovets T. A. Makido E.Yu., Shuryhin F.M. Doslidzhennia masoperenosu InSb v systemi InSb – J2// Visnyk NU "Lvivska Politekhnika". Elektronika, 2004, No 513, P.48–54.
dc.relation.referencesen15. Termodynamycheskye svoistva neorhanycheskykh veshchestv, Spravochnyk. Pod obshchei redaktsyei d-ra tekhn. nauk A. P. Zefirova, M., Atomyzdat, 1965, 460 p.
dc.relation.referencesen16. Hordienko S.P., Fenochka B.V., Viksman H.Sh. Termodinamika soedinenii lantanoidov. Spravochnik, K., Naukova dumka, 1979, 376 p.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Большакова І.А., Кость Я.Я., Луців Р.В., Макідо О.Ю., Московець Т.А., 2005
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleОсобливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм
dc.title.alternativeGrowth process peculiarities of InSb microcrystals alloyed by erbium
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.12 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2005. – №532