Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System
dc.citation.epage | 239 | |
dc.citation.issue | 2 | |
dc.citation.spage | 236 | |
dc.contributor.affiliation | Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after academician M. Nagiyev | |
dc.contributor.affiliation | Adiyaman State University | |
dc.contributor.author | Aliev, Imir | |
dc.contributor.author | Ahmedova, Ceyran | |
dc.contributor.author | Aliev, Ikram | |
dc.contributor.author | Kuli-zade, Esmira | |
dc.coverage.placename | Львів | |
dc.coverage.placename | Lviv | |
dc.date.accessioned | 2020-03-02T12:28:07Z | |
dc.date.available | 2020-03-02T12:28:07Z | |
dc.date.created | 2019-02-28 | |
dc.date.issued | 2019-02-28 | |
dc.description.abstract | Характер взаємодії в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se досліджено за допомогою диференційного терміч- ного, рентгеноструктурного та мікроструктурного методів, а також внаслідок вимірювання мікротвердості та визна- чення густини. На основі одержаних результатів побудовано діаграму стану. Встановлено, що ділянка TlAs2Se3Te– TlAs2Te3Se частково є квазібінарною секцією четвертинної системи As, Tl//Se, Te. Показано, що за температури 548 K у системі утворюється одна конгруентноплавка сполука TlAs2Se2Te2. Визначено, що область розчинності твердих розчинів на основі TlAs2Se3Te за кімнатної температури досягають 10% мол. TlAs2Te3Se, а сполуки на основі TlAs2Te3Se практично не спостерігаються. Показано, що всі отримані зразки склоподібні. | |
dc.description.abstract | The character of the interaction in the TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se system was studied by the methods of DTA, RFA, MSA, and also by measuring the microhardness and determining the density. State diagram of the system was constructed. It was established that the TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se system is partially a quasibinary section of the quaternary As, Tl//Se, Te system. One congruently melting compound TlAs2Se2Te2 is formed in the system at 548 K. Solid solutions based on TlAs2Se3Te at room temperature reach up to 10 mol % TlAs2Te3Se, and solid solutions on the basis of TlAs2Te3Se are practically not detected. All the samples obtained are vitreous. | |
dc.format.extent | 236-239 | |
dc.format.pages | 4 | |
dc.identifier.citation | Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System / Imir Aliev, Ceyran Ahmedova, Ikram Aliev, Esmira Kuli-zade // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 13. — No 2. — P. 236–239. | |
dc.identifier.citationen | Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System / Imir Aliev, Ceyran Ahmedova, Ikram Aliev, Esmira Kuli-zade // Chemistry & Chemical Technology. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2019. — Vol 13. — No 2. — P. 236–239. | |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/46462 | |
dc.language.iso | en | |
dc.publisher | Видавництво Львівської політехніки | |
dc.publisher | Lviv Politechnic Publishing House | |
dc.relation.ispartof | Chemistry & Chemical Technology, 2 (13), 2019 | |
dc.relation.references | 1. Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al.: J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7 | |
dc.relation.references | 2. Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53. | |
dc.relation.references | 3. Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088 | |
dc.relation.references | 4. Hineva Т., Petkova Т.,Popov С. et al.: J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326. | |
dc.relation.references | 5. Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A.: Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319. | |
dc.relation.references | 6. Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A.: Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138 | |
dc.relation.references | 7. Aliyev I., BabanlyM., Farzaliev A.: XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12May 2007, 86. | |
dc.relation.references | 8. Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D.: Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259 | |
dc.relation.references | 9. Veliev D., Aliyev I., Mamedova A.: Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312. | |
dc.relation.references | 10. Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G.: Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234 | |
dc.relation.references | 11. Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R.: Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110. | |
dc.relation.references | 12. Aliyev I.: Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992. | |
dc.relation.referencesen | 1. Hari P., Cheneya C., Luepkea G. et al., J. Non-Crystal. Solid., 2000, 270, 265. https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7 | |
dc.relation.referencesen | 2. Iovu M., Shutov C., Rebeja S., Colomeyco E., J. Optoelectron. Adv. Mater., 2000, 2, 53. | |
dc.relation.referencesen | 3. Littler I., Fu L., Mägi E. et al.:J. Opt. Express, 2006, 14, 8088. https://doi.org/10.1364/OE.14.008088 | |
dc.relation.referencesen | 4. Hineva T., Petkova T.,Popov S. et al., J. Optoelectron. Adv. Mater., 2007, 9, 326. | |
dc.relation.referencesen | 5. Babaiev A., Muradov R., Sultanov S., Askhabov A., Neorg. Materialy, 2008, 44, 1319. | |
dc.relation.referencesen | 6. Aliyev I., Ahmedova C., Farzaliyev A., Chem. Chem. Technol., 2017, 11, 138. https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138 | |
dc.relation.referencesen | 7. Aliyev I., BabanlyM., Farzaliev A., XI Int. Conf. on the Physics and Technology of Thin Films. Ukraine, Ivano-Frankivsk, 7-12May 2007, 86. | |
dc.relation.referencesen | 8. Aliyev I., Aliyev I.G., Farzaliev A., Veliev D., Rus. J. Inorg. Chem., 2008, 53, 962. https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259 | |
dc.relation.referencesen | 9. Veliev D., Aliyev I., Mamedova A., Zh. Neorg. Khim., 2007, 52, 312. | |
dc.relation.referencesen | 10. Farzaliev A., Aliyev I., Aliyev O., Aliyev I.G., Chem. Problems, 2006, 2, 269. https://doi.org/10.1134/S0036023607020234 | |
dc.relation.referencesen | 11. Vorobyev Yu., Velikova N., Kirilenko V., Shchelkov R., Neorg. Materialy, 1987, 23, 1110. | |
dc.relation.referencesen | 12. Aliyev I., Doct. thesis. Physicochemical basis for obtaining new materials in chalcogenide systems of arsenic with indium and thallium chalcogenides. Baku 1992. | |
dc.relation.uri | https://doi.org/10.1016/S0022-3093(00)00072-7 | |
dc.relation.uri | https://doi.org/10.1364/OE.14.008088 | |
dc.relation.uri | https://doi.org/10.23939/chcht11.02.138 | |
dc.relation.uri | https://doi.org/10.1134/S00.6023608060259 | |
dc.relation.uri | https://doi.org/10.1134/S0036023607020234 | |
dc.rights.holder | © Національний університет „Львівська політехніка“, 2019 | |
dc.rights.holder | © Aliyev I., Ahmedova C., Aliyev Ik., Kuli-zade E., 2019 | |
dc.subject | конгруентно | |
dc.subject | евтектичні | |
dc.subject | квазібінарні | |
dc.subject | тверді розчини | |
dc.subject | халькогеніди | |
dc.subject | congruently | |
dc.subject | eutectic | |
dc.subject | quasi-binary | |
dc.subject | solid solutions | |
dc.subject | chalcogenides | |
dc.title | Character of Interaction and Glass Formation in the TlAs2Se3Te-TlAs2Te3Se System | |
dc.title.alternative | Характер взаємодії та склоутворення в системі TlAs2Se3Te–TlAs2Te3Se | |
dc.type | Article |
Files
License bundle
1 - 1 of 1