Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)
No Thumbnail Available
Files
Date
2000
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Державного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to
120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.
Description
Keywords
Citation
Яковина В. С. Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2) / В. С. Яковина, Ю. М. Нікіфоров, М. М. Берченко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 87–91. – Бібліографія: 7 назв.