Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)
| dc.contributor.author | Яковина, В. С. | |
| dc.contributor.author | Нікіфоров, Ю. М. | |
| dc.contributor.author | Берченко, М. М. | |
| dc.date.accessioned | 2012-02-09T09:37:19Z | |
| dc.date.available | 2012-02-09T09:37:19Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.description.abstract | Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Яковина В. С. Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2) / В. С. Яковина, Ю. М. Нікіфоров, М. М. Берченко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 87–91. – Бібліографія: 7 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11428 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Державного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2) | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1