Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії

Simple item page
dc.contributor.authorВаків, М. М.
dc.contributor.authorКруковський, С. І.
dc.contributor.authorТимчишин, В. Р.
dc.date.accessioned2014-03-20T13:04:48Z
dc.date.available2014-03-20T13:04:48Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractДосліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.uk_UA
dc.identifier.citationВаків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин// Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 102–106. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24010
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectлегувванняuk_UA
dc.subjectрідиннофазна епітаксіяuk_UA
dc.subjectдисиланuk_UA
dc.subjectслабколеговані шариuk_UA
dc.subjectalloyinguk_UA
dc.subjectliquid phase epitaxyuk_UA
dc.subjectdisilaneuk_UA
dc.subjectweakly doped layersuk_UA
dc.titleОтримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксіїuk_UA
dc.title.alternativeObtaining of weakly doped with silica thick I-GaAs layers by liquid-phase epitaxy methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
18-102-106.pdf
Size:
255.87 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2013. – №764