Електронна структура та електрокінетичне дослідження термоелектрично матеріалу TiNi1-XCoXSn

dc.contributor.authorРомака, В. А.
dc.contributor.authorДомінюк, Т. І.
dc.contributor.authorСтадник, Ю. В.
dc.contributor.authorРомака, Л. П.
dc.date.accessioned2009-09-03T11:25:28Z
dc.date.available2009-09-03T11:25:28Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractРозраховано розподіл електронної густини та досліджено температурні і концентраційні залежності питомого електроопору, коефіцієнта термо-ЕРС, структурні та енергетичні характеристики TiNi1-xCoxSn у діапазонах, Т = 80 ÷ 380 К, х = 0 ¸ 0,1. The structural descriptions and density of electron states calculation, electrotransport and crystal structure characteristics of TiNi1-xCoxSn intermetallic semiconductor in ranges, T = 80 ¸ 380 K and x = 0 ¸ 0,1, respectively were investigated.uk
dc.identifier.citationЕлектронна структура та електрокінетичне дослідження термоелектрично матеріалу TiNi1-XCoXSn / В. А. Ромака, Т. І. Домінюк, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2008. – № 608 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 57–61. – Бібліографія: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/319
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk
dc.titleЕлектронна структура та електрокінетичне дослідження термоелектрично матеріалу TiNi1-XCoXSnuk
dc.typeArticleuk

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
09.pdf
Size:
206.29 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.8 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: