Високотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремнію
No Thumbnail Available
Date
2000
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Abstract
Наведено результати комплексу робіт із створення п’єзорезистивного сенсора тиску, працездатного в умовах підвищених та високих температур. Елементною базою сенсора стали мікрокристали кремнію, а в основу конструкції покладено універсальний тензомодуль з пружно-чутливим елементом балочного типу і круглою мембраною. Наведено вихідні характеристики розробленого сенсора тиску.
Results of the complex works on the piezoresistive pressure sensor development for operation at elevated and high temperatures are presented. The material basis for this sensor is silicon microcrystals while the sensor's design is based on the universal strain unit with a cantilever strain-sensitive element and a circular membrane. Output performance of the developed sensor is presented.
Description
Keywords
Citation
Високотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремнію / А. О. Дружинін, О. П. Кутраков, О. М. Лавитська, І. Й. Мар ’ямова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 401 : Електроніка. – С. 30–33 . – Бібліографія: 4 назви.