Високотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремнію

dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorКутраков, О. П.
dc.contributor.authorЛавитська, О. М.
dc.contributor.authorМар’ямова, І. Й.
dc.date.accessioned2017-04-12T11:10:41Z
dc.date.available2017-04-12T11:10:41Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractНаведено результати комплексу робіт із створення п’єзорезистивного сенсора тиску, працездатного в умовах підвищених та високих температур. Елементною базою сенсора стали мікрокристали кремнію, а в основу конструкції покладено універсальний тензомодуль з пружно-чутливим елементом балочного типу і круглою мембраною. Наведено вихідні характеристики розробленого сенсора тиску. Results of the complex works on the piezoresistive pressure sensor development for operation at elevated and high temperatures are presented. The material basis for this sensor is silicon microcrystals while the sensor's design is based on the universal strain unit with a cantilever strain-sensitive element and a circular membrane. Output performance of the developed sensor is presented.uk_UA
dc.identifier.citationВисокотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремнію / А. О. Дружинін, О. П. Кутраков, О. М. Лавитська, І. Й. Мар ’ямова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 401 : Електроніка. – С. 30–33 . – Бібліографія: 4 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/37335
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету «Львівська політехніка»uk_UA
dc.titleВисокотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремніюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
7_30-33.pdf
Size:
173.35 KB
Format:
Adobe Portable Document Format