Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги
| dc.contributor.author | Голяка, Р. Л. | |
| dc.contributor.author | Єрашок, В. Е. | |
| dc.contributor.author | Максимів, І. В. | |
| dc.date.accessioned | 2012-02-09T09:46:51Z | |
| dc.date.available | 2012-02-09T09:46:51Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.description.abstract | Розглянуто результати розробки інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги на принципі формування напруги, яка числово дорівнює ширині забороненої зони кремнію. Проведено дослідження та аналіз стабільності дже- рела при зміні температури та напруги живлення. Results of development are discussed concerning the low-level reference voltage source based on the principle of forming a potential equivalent to the silicon bandgap width. Investigations are performed and analysis is carried out at changing temperature and supply voltage. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Голяка Р. Л. Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги / Р. Л. Голяка, В. Е. Єрашок, І. В. Максимів // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 32–36. – Бібліографія: 3 назви. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11431 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Державного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1