Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE

Abstract

Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить. Досліджено електричні та+ фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показана можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe. This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated.