Ударна і термостимульована іонізація в КНІ МОН транзисторах

dc.contributor.authorКеньо, Г. В.
dc.contributor.authorМищишин, В. М.
dc.date.accessioned2015-12-17T10:36:56Z
dc.date.available2015-12-17T10:36:56Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractВнаслідок проведеного фізичного моделювання некогерентних випромінювачів для фотополімеризації розглянуто можливості застосування стимуляційних режимів для підвищення ефективності цієї фототехнології. In result of seen out phisical modelling non coherent of radiators for photopolimerization are considered the management possibilities by application of stimulation for phototechnologies.uk_UA
dc.identifier.citationКеньо Г. В. Ударна і термостимульована іонізація в КНІ МОН транзисторах / Г. В. Кеньо , В. М. Мищишин // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 54–60. – Бібліографія: 6 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30571
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.titleУдарна і термостимульована іонізація в КНІ МОН транзисторахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
13-54-60.pdf
Size:
271.93 KB
Format:
Adobe Portable Document Format