Вплив орієнтації та якості обробки підкладок на резонансні властивості епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату

Abstract

Досліджено вплив орієнтації та дефектності підкладок з галій-гадолінієвого гранату (ГГГ) на ширину лінії феромагнітного резонансу (ФМР) епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ). Показано, що найбільш якісними з най¬меншою шириною лінії ФМР є плівки ЗІГ, вирощені на підкладках з ГГГ орієнтації (111). Найбільш негативний вплив на якість плівок ЗІГ справляють підкладки, що мають скупчення дислокацій і включення зерен іридію. Запро¬поновано спосіб обробки підкладок, який дозволяє отримувати плівки товщиною 4,7...5,0 мкм з шириною лінії ФМР 0,3...0,5 Е. Використання в ролі підкладок епі¬таксійних структур з ферогранатовою плівкою іншого складу дозволяє вирощу¬вати шари ЗІГ товщиною до 70 мкм. The influence of orientation and the defect substrates from gallium-gadolinium garnet (GGG) on ferromagnetic resonance line width (FMR) of epitaxial iron-yttrium garnet films (YIG) was investigated. It is shown that the best quality with minimum FMR line width are YIG films growing on GGG substrates with (111) orientation. The most negative influence on the quality of YIG films make the substrates with accu¬mulation of dislocations and including the iridium parcels. The method of substrates processing which allow to get the films with 4,7...5,0 p,m thickness and 0,3...0,5 Oe FMR line width is proposed. The use of the epitaxial structure with the ferrogarnet film in different compositions as substrates allows to grow YIG layers with 70 ^m thickness.