Вплив орієнтації та якості обробки підкладок на резонансні властивості епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату

Simple item page
dc.citation.conferenceЕлектроніка
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”uk_UA
dc.contributor.authorYushchuk, SI.
dc.contributor.authorYuryev, S. O.
dc.contributor.authorNikolaychuk, V. J.
dc.contributor.authorOsypyshyn, L. I.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-09-19T10:03:11Z
dc.date.available2018-09-19T10:03:11Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractДосліджено вплив орієнтації та дефектності підкладок з галій-гадолінієвого гранату (ГГГ) на ширину лінії феромагнітного резонансу (ФМР) епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ). Показано, що найбільш якісними з най¬меншою шириною лінії ФМР є плівки ЗІГ, вирощені на підкладках з ГГГ орієнтації (111). Найбільш негативний вплив на якість плівок ЗІГ справляють підкладки, що мають скупчення дислокацій і включення зерен іридію. Запро¬поновано спосіб обробки підкладок, який дозволяє отримувати плівки товщиною 4,7...5,0 мкм з шириною лінії ФМР 0,3...0,5 Е. Використання в ролі підкладок епі¬таксійних структур з ферогранатовою плівкою іншого складу дозволяє вирощу¬вати шари ЗІГ товщиною до 70 мкм. The influence of orientation and the defect substrates from gallium-gadolinium garnet (GGG) on ferromagnetic resonance line width (FMR) of epitaxial iron-yttrium garnet films (YIG) was investigated. It is shown that the best quality with minimum FMR line width are YIG films growing on GGG substrates with (111) orientation. The most negative influence on the quality of YIG films make the substrates with accu¬mulation of dislocations and including the iridium parcels. The method of substrates processing which allow to get the films with 4,7...5,0 p,m thickness and 0,3...0,5 Oe FMR line width is proposed. The use of the epitaxial structure with the ferrogarnet film in different compositions as substrates allows to grow YIG layers with 70 ^m thickness.uk_UA
dc.format.pages17–21
dc.identifier.citationВплив орієнтації та якості обробки підкладок на резонансні властивості епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату / SI. Yushchuk, S. O. Yuryev, V. J. Nikolaychuk , L. I. Osypyshyn // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 17–21. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42653
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Носенко A.C., Волженская Л.Г., Падляк Б.В., Зоренко Ю.В. // Укр. фіз. жури. 1983. 28. № 12. C. 1850 — 1853. 2. Karpasyuk V.K., Bulatov MF. // IEEE Transact. on Magnet. 1994. 30. № 6. Part 1. P. 4344 — 4346. 3. Костюк П.С., Кузъмик А.Г., Матковский A.О., Ворошило Г.И., Шевчук П.И., Сыворотка И.М. // Физическая электроника. 1987. 35. С. 100 — 105. 4. Ющук С.И., Юръев С.А., Костюк П.С. //Неорганические материалы. 1997. 33. № 7. С. 881 — 883. 5. Калиникос Б.А., Ковшиков Н.Г., Кожусъ Н.В. // Тез. докл. VIII Всесоюзн. школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлектроники”. Донецк. 1982. С. 319. 6. Ющук С.1. // Укр. фіз. журн. 1999. 44. № 9. С. 1099 — 1101. 7. Варшава С. С., Юръев С.А., Ющук С.И. // Тез.докл.ІХ Национал. конф. по росту кристаллов НКРК-2000. Москва. ИКРАН. 2000. С. 327.uk_UA
dc.rights.holder© Yushchuk SI., Yuryev S. O., Nikolaychuk V. J., Osypyshyn L. I., 2001uk_UA
dc.subject.udc621.318:599,23uk_UA
dc.titleВплив орієнтації та якості обробки підкладок на резонансні властивості епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранатуuk_UA
dc.title.alternativeThe influence of orientation and quality substrates processing on resonance properties of epitaxial iron-yttrium garnet filmsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
4_17-21.pdf
Size:
667.51 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2001. – №430