Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах

Simple item page
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorЛавитська, О. М.
dc.contributor.authorМар'ямова, І. Й.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-12T14:26:22Z
dc.date.available2018-03-12T14:26:22Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractЕкспериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.uk_UA
dc.format.pages134-141
dc.identifier.citationДослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, І. Й. Мар'ямова, Ю. М. Ховерко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 134–141. – Бібліографія: 9 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39599
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Voronin V.A., Druzhinin A.A., Maryamova I.I. et al. / / Sensors and Actuators. - 1992. - 30A. - P. 143-147. 2. Дружинін A.O., Лавитсъка O.M., Мар'ямова 1.Й., Панков Ю.М., Ховерко Ю.М. // Вісн. Н У "Лъвівсъка політехніка". - 2000. - № 393. - С. 7-11. 3. Lu, N.C.-C., Gerzberg, L. and Lu, C.-Y. // IEEE Trans. Electron Devices. - 1981. - ED-28. - P. 818-830. 4. Лавитсъка O.M. / / Вісн. Д У "Лъвівсъка політехніка". - 1998. - № 325. - С. 92-97. 5. Кобка В.Г., Комиренко Р.П., Конюшин Ю.В. и др. / / Физика твердого тела. - 1982. - 16. - С. 2176-2178. 6. Шкловский В.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М., 1979. - 416 с. 7. Druzhinin A., Maryamova I., Lavitska E., Pankov Y. and Kogut I. In P.L.F.Hemment et al. (eds.), Perspectives, Science and Technologies fo r Novel Silicon on Insulator Devices, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht. - 2000. - P. 127-135. 8. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I. Abstracts NATO Advanced Research Workshop “Progress in Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions”, Kyiv, Ukraine 15-20 Oct. 2000. - Kyiv, 2000. - P. 73-74. 9. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Oszwaldowski M., Berus T., Kunert H. / / Cryst. Res. Technol. - 2002. - 37, № 2-3. - P. 243-257.uk_UA
dc.rights.holderДружинін А. О., Лавитська О. М., Мар'ямова І. Й., Ховерко Ю. М , 2002uk_UA
dc.subject.udc621.315.592uk_UA
dc.titleДослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурахuk_UA
dc.title.alternativeStudies of poly-Si layers for cryogenic sensors developmentuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
24_134-141.pdf
Size:
222.92 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455