Sputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions

Simple item page
dc.citation.epage42
dc.citation.issue1
dc.citation.spage36
dc.contributor.affiliationLviv Polytechnic National University
dc.contributor.affiliationInstitute for Problems of Material Science NASU, Chernivtsy Branch, Chernivtsy
dc.contributor.affiliationInstitute for Nuclear Research,(ATOMKI)
dc.contributor.authorЗаячук, Дмитро
dc.contributor.authorСлинько, Василь
dc.contributor.authorCsík, Attila
dc.contributor.authorZayachuk, Dmytro
dc.contributor.authorSlynko, Vasyl
dc.contributor.authorCsík, Attila
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2023-04-25T10:51:53Z
dc.date.available2023-04-25T10:51:53Z
dc.date.created2021-05-05
dc.date.issued2021-05-05
dc.description.abstractДосліджено розпорошення кристалів PbTe, SnTe та GeTe іонами Ar+ низької енергії, визначено швидкість розпорошення vsp та її залежність від складу кристалічної матриці й енергії розпорошення. Встановлено, що за однакових умов швидкість розпорошення телуридів GeTeSnTe-PbTe зростає зі збільшенням їх середньої атомної маси. Виявлені зміни пояснено змінами поверхневої енергії зв’язку атомів металів у телуридах свинцю, олова та германію. Показано, що для всіх досліджуваних сполук швидкість розпорошення зростає також зі збільшенням енергії розпорошення. У діапазоні енергій від 160 до 550 еВ це збільшення майже лінійне. Розраховано коефіцієнти зміни швидкості розпорошення з енергією dvsp/dE. Визначено поверхневу густину іонно-індукованих структур та відносну площу покритої ними розпорошеної поверхні для природних бокових поверхонь кристала PbTe, вирощеного з розплаву методом Бриджмена, як функцію енергії розпорошення. Показано, що за постійного часу розпорошення обидва параметри експоненційно зменшуються зі збільшенням енергії розпорошення.
dc.description.abstractSputtering of PbTe, SnTe, and GeTe crystal samples by low-energy Ar+ ions are investigated, and the sputtering rate vsp of the studied compounds, as well as its dependence on both the composition of crystal matrix and the sputtering energy are determined. It is found that under the same conditions the sputtering rate in the sequence of GeTe-SnTe-PbTe telluride compounds increases when their average atomic weight increases. This phenomenon is explained by changes in the surface binding energy of metal atoms in lead, tin and germanium tellurides. It is shown that for all compounds the sputtering rate also increases with the increase in the sputtering energy. In the energy range from 160 to 550 eV, this increase is almost linear. The coefficients of change in the sputtering rate with energy dvsp/dE are calculated. The surface density of Ar+ ioninduced structures and the relative area of the sputtered surface covered by these structures are determined for the natural lateral surfaces of a PbTe crystal grown from melt by the Bridgman method as a function of sputtering energy. It is shown that both studied parameters decrease exponentially with increasing the sputtering energy.
dc.format.extent36-42
dc.format.pages7
dc.identifier.citationZayachuk D. Sputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions / Dmytro Zayachuk, Vasyl Slynko, Attila Csík // Computational Problems of Electrical Engineering. — Lviv : Lviv Politechnic Publishing House, 2021. — Vol 11. — No 1. — P. 36–42.
dc.identifier.citationenZayachuk D., Slynko V., Csík A. (2021) Sputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions. Computational Problems of Electrical Engineering (Lviv), vol. 11, no 1, pp. 36-42.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/58458
dc.language.isoen
dc.publisherВидавництво Львівської політехніки
dc.publisherLviv Politechnic Publishing House
dc.relation.ispartofComputational Problems of Electrical Engineering, 1 (11), 2021
dc.relation.references[1] H. Oechsner, Secondary neutral mass spectrometry (snms) and its application to depth profile and interface analysis, thin film and depth profile analysis, Ed. by Oechsner H, Springer-Verlag, pp. 63–86, 1984.
dc.relation.references[2] O. Auciello and J. Vac. Sci. Technol. 19, 841 (1981); doi.org/10.1116/1.571224.
dc.relation.references[3] Wai Lun Chan, Eric Chason, J. Appl. Phys. 101, 121301 (2007), https://doi.org/10.1063/1.2749198
dc.relation.references[4] D. M. Zayachuk, E. I. Slynko, V. E. Slynko, and A. Csik, Materials Letters, 173, 167 (2016). DOI: dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2016.03.038.
dc.relation.references[5] Dmytro Zayachuk and Attila Csik, PbTe Crystal Sputtering and Re-deposition of Sputtered Species, (Saarbrucken, Germany: LAP Lambert Academic Publishing: 2016).
dc.relation.references[6] D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, and A. Csik, Mater. Sci. Semiconductor Processing, 88, 103 (2018), doi.org/10.1016/j.mssp.2018.07.037.
dc.relation.references[7] D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, Cs. Buga, A. Csik, Vacuum 99, 163 (2019), doi.org/10.1016/ j.vacuum.2019.02.008
dc.relation.references[8] D. M. Zayachuk, Cs. Buga, V. E. Slynko, and A. Csík, Materials Today: Proceedings, 35, Part 4,2021, 513–517, doi.org/10.1016/j.matpr.2019. 10.011
dc.relation.references[9] A. Csík, D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, U. Schmidt, Cs. Buga, and K. Vad, Materials Letters 236, 5 (2019), doi.org/10.1016/j.matlet.2018.10.061.
dc.relation.references[10] D. M. Zayachuk, Y. D. Zayachuk, Cs. Buga, V. E. Slynko, and A. Csík, Vacuum, 186 (2021) 110058, doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110058.
dc.relation.references[11] J. Broeke, J. M. M. Perez, and J.Pascau, Image Processing with ImageJ. 2nd Edition. Packt Publishing, p. 256, 2015. ISBN 978-1-78588-983-7.
dc.relation.references[12] P. Sigmund: Elements of Sputtering Theory. In: Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering. T. Som, D. Kanjilal. Pan Stanford Publishing, p. 1–40,2013.
dc.relation.references[13] R. M. Bradley and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988), doi.org/10.1116/ 1.575561.
dc.relation.references[14] R. Kelly, O. Auciello,Surface Sci. 100 (1980) 135, doi.org/10.1016/0039-6028(80)90449-5.
dc.relation.references[15] G. Nimtz and B. Schlicht, Narrow-Gap Semiconductors: Narrow Gap Lead Salts, Springer, Berlin, 1985, pp. 1–117, doi.org/ 10.1007/BFb0044919.
dc.relation.referencesen[1] H. Oechsner, Secondary neutral mass spectrometry (snms) and its application to depth profile and interface analysis, thin film and depth profile analysis, Ed. by Oechsner H, Springer-Verlag, pp. 63–86, 1984.
dc.relation.referencesen[2] O. Auciello and J. Vac. Sci. Technol. 19, 841 (1981); doi.org/10.1116/1.571224.
dc.relation.referencesen[3] Wai Lun Chan, Eric Chason, J. Appl. Phys. 101, 121301 (2007), https://doi.org/10.1063/1.2749198
dc.relation.referencesen[4] D. M. Zayachuk, E. I. Slynko, V. E. Slynko, and A. Csik, Materials Letters, 173, 167 (2016). DOI: dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2016.03.038.
dc.relation.referencesen[5] Dmytro Zayachuk and Attila Csik, PbTe Crystal Sputtering and Re-deposition of Sputtered Species, (Saarbrucken, Germany: LAP Lambert Academic Publishing: 2016).
dc.relation.referencesen[6] D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, and A. Csik, Mater. Sci. Semiconductor Processing, 88, 103 (2018), doi.org/10.1016/j.mssp.2018.07.037.
dc.relation.referencesen[7] D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, Cs. Buga, A. Csik, Vacuum 99, 163 (2019), doi.org/10.1016/ j.vacuum.2019.02.008
dc.relation.referencesen[8] D. M. Zayachuk, Cs. Buga, V. E. Slynko, and A. Csík, Materials Today: Proceedings, 35, Part 4,2021, 513–517, doi.org/10.1016/j.matpr.2019. 10.011
dc.relation.referencesen[9] A. Csík, D. M. Zayachuk, V. E. Slynko, U. Schmidt, Cs. Buga, and K. Vad, Materials Letters 236, 5 (2019), doi.org/10.1016/j.matlet.2018.10.061.
dc.relation.referencesen[10] D. M. Zayachuk, Y. D. Zayachuk, Cs. Buga, V. E. Slynko, and A. Csík, Vacuum, 186 (2021) 110058, doi.org/10.1016/j.vacuum.2021.110058.
dc.relation.referencesen[11] J. Broeke, J. M. M. Perez, and J.Pascau, Image Processing with ImageJ. 2nd Edition. Packt Publishing, p. 256, 2015. ISBN 978-1-78588-983-7.
dc.relation.referencesen[12] P. Sigmund: Elements of Sputtering Theory. In: Nanofabrication by Ion-Beam Sputtering. T. Som, D. Kanjilal. Pan Stanford Publishing, p. 1–40,2013.
dc.relation.referencesen[13] R. M. Bradley and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988), doi.org/10.1116/ 1.575561.
dc.relation.referencesen[14] R. Kelly, O. Auciello,Surface Sci. 100 (1980) 135, doi.org/10.1016/0039-6028(80)90449-5.
dc.relation.referencesen[15] G. Nimtz and B. Schlicht, Narrow-Gap Semiconductors: Narrow Gap Lead Salts, Springer, Berlin, 1985, pp. 1–117, doi.org/ 10.1007/BFb0044919.
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1063/1.2749198
dc.rights.holder© Національний університет „Львівська політехніка“, 2021
dc.subjectSputtering
dc.subjectSputtering rate
dc.subjectPbTe
dc.subjectSnTe
dc.subjectGeTe
dc.titleSputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions
dc.title.alternativeШвидкість розпорошення телуридів свинцю, олова і германію іонами аргону низької енергії
dc.typeArticle

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
2021v11n1_Zayachuk_D-Sputtering_Rate_of_Lead_36-42.pdf
Size:
511.54 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.82 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Computational Problems Of Electrical Engineering. – 2021. – Vol. 11, No. 1